Evidence is presented, using a Cu + 6 at?; Si alloy, for the formation a t grain boundaries of largo three-fault-plane defects which are extended into the growing grains by movement of boundaries during grain growth. These defects can become detached from the boundaries to form stackingfault tetrahedra. A detailed analysis shows that such a defect originates by the movement of a secondary GBD with a Burgers vector of the typc <112) out of a moving boundary into the growing grain. The size of the largest tetrahedron formed in this way is not related t o the stacliingfault energy of the alloy.Fur eine Cu + 6 Atyo Si-Lcgierung werden Hinweise fur die Bildung von groDen ,,three-faultplane"-Defekten angegeben, die sich in die wachsenden Korncr durch Wanderung der Grenzen wahrend des Kornwachstums ausdehnen. Diese Defekte konnen von den Grenzen losgelost werden und Stnpclfchlertetraeder bilden. Eine ausfuhrliche Analyse zeigt, da13 ein solchcr Defekt von der Wanderung einer sekundaren GBD mit -inem Burgersvektor des Typs (112) aus der sich bcwegcnden Grenze in das wachsende Korn herruhrte. Die Abmrssung des groBten auf diese M7eisc gebildeten Tetraeders ist nicht mit der Stapelfehlerenergie der Leigerung verknupft.