Formation and Decay of Electronic Excitations Localized near Divacancies in Alkali Halides

Lushchik, A.; Lushchik, Ch.; Lushchik, N.E.; Frorip, A.; Nikiforova, O. Yu.

doi:10.1002/pssb.2221680204

Cited by 49 publications

(43 citation statements)

References 11 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Similar broad non-elementary excitation bands of luminescence connected with the absorption of anions surrounding v a v c were revealed in many AHC (Lushchik et al, 1991). The emission of 5.2 eV is effectively excited in a narrow region slightly below and above the exciton resonance.…”

Section: Manifestations Of Fhe In Cathodoluminescencesupporting

confidence: 64%

Franck–Hertz effect in cathodo- and photoluminescence of wide-gap materials

Lushchik

Kärner

et al. 2010

Radiation Measurements

View full text Add to dashboard Cite

a b s t r a c tA brief overview of previously obtained and novel data on the manifestations of an analogue of FranckHertz effect in photo-and cathodoluminescence of wide-gap inorganic materials is presented. On the example of NaCl:Tl þ and MgO:Cr 3þ single crystals, the excitation processes of the luminescence of 6s 2 Tl þ ions and 3d 3 Cr 3þ ions by 5-15 keV electrons or 5-20 eV photons at 6-420 K have been studied. The rapid processes of the direct energy transfer to Tl þ by hot conduction electrons or to Cr 3þ centers by hot electrons and/or hot valence holes have been separated from rapid excitonic and more inertial electronhole processes.

show abstract

Section: Manifestations Of Fhe In Cathodoluminescencesupporting

confidence: 64%

Franck–Hertz effect in cathodo- and photoluminescence of wide-gap materials

Lushchik

Kärner

et al. 2010

Radiation Measurements

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Radiation creation of the groups of spatially correlated defects (GSCDs) has been revealed in highly pure KCl and KBr crystals X-irradiated at 4.2 K. The conclusions on the formation of F-V K -I triplets were based on a careful study of TSL and tunnel luminescence [28,29], of the annealing of the EPR signal of V K and H centres [38,39] or of radiation-induced optical absorption and photostimulated luminescence bands connected with a certain type of Frenkel defects (F, H, α and I centres) [40,41]. The creation of F-V K -I triplets by VUV radiation was investigated in KBr at 8 K [42].…”

Section: Groups Of Spatially Correlated Defects and Tsl At 10-15 K Inmentioning

confidence: 99%

“…The spatial separation between genetic F and H centres, formed during the sample irradiation at the recombination of conduction electrons with self-trapped holes, is smaller than in the case of F-H creation due to the decay of STEs. In KCl and KBr, STEs decay at 4.2-6 K into F-H pairs with r FH exceeding 4-6 interanion distances [8,41,44]. At the same time, long-lived F-H pairs form no more than 10% of the total amount of the pairs produced in KCl by the photons that selectively generate electrons and holes (e-h pairs) [45].…”

Section: Groups Of Spatially Correlated Defects and Tsl At 10-15 K Inmentioning

confidence: 99%

Low-temperature excitonic, electron–hole and interstitial-vacancy processes in LiF single crystals

Nakonechnyi

Kärner

Lushchik

et al. 2005

J. Phys.: Condens. Matter

View full text Add to dashboard Cite

The emission spectra and the excitation spectra of various emissions have been measured in LiF crystals at 9 K using VUV radiation of 10-33 eV. Contrary to the luminescence of selftrapped excitons (3.4 eV), the efficiency of several extrinsic emissions (4.2, 4.6 and 5.8 eV) is very low in the region of an exciton absorption (12.4-14.2 eV). A single exciting photon of 28-33 eV is able to create a primary electron-hole (e-h) pair and a secondary exciton. The tunnel phosphorescence has been detected after the irradiation of LiF by an electron beam or X-rays at 6 K, and several peaks of thermally stimulated luminescence (TSL) at 12-170 K appeared at the heating of the sample. It was confirmed that the TSL at 130-150 K is related to the diffusion of self-trapped holes (V K centres). The TSL peak at ~160 K is ascribed to the thermal ionisation of F′ centres. The TSL at 20-30 K and 50-65 K is caused by the diffusion of interstitial fluorine ions (I centres) or H interstitials, respectively. The TSL peak at ~13 K, the most intense after electron or X-irradiation, cannot be detected after LiF irradiation by VUV radiation, selectively forming excitons or e-h pairs. The creation of a spatially correlated anion exciton and an e-h pair is needed for the appearance of this peak: an exciton decays into an F-H pair, a hole forms a V K and an electron transforms H into I (an F-I-V K group is formed) or an F centre into a two-electron F′ centre (an F′-H-V K group). The analysis of the elementary components of the 9-16 K TSL showed that a phonon-induced radiative tunnel recombination of F′-V K (5.6 eV), F-H (~3 eV) and F-V K (3.4 eV) occurs within these groups.Short Title: Low-temperature excitonic, electron-hole and interstitial-vacancy processes in LiF

show abstract

“…Позже были обнаружены и изучены оптические харак-теристики экситонов, локализованных около анионных вакансий (см. следующий раздел) или бивакасий вo многих ЩГК [55] и даже в ионных оксидах MgO [56]. Экситоноподобные состояния возникают в ЩГК и около примесных ионов, полосы таких связанных экситонов, так называемые D-полосы ртутеподобных центров, дав-но обнаружены в ряде ЩГК (см., например, [57,58]).…”

Section: международная школа-семинар "unclassified

Эволюция Анионных И Катионных Экситонов В Щелочно-Галоидных Кристаллах (О Б З О Р)

Лущик¹,

Лущик²

2018

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Дан обзор проявлениям существования свободных анионных экситонов, процессов их автолокализации и сосуществования подвижных и автолокализованных экситонов (АЛЭ) в широкощелевых щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК). Рассмотрены излучательный канал распада анионных экситонов с люминесценцией, а также особый тип безызлучательного канала -с рождением элементарных дефектов Френкеля (ДФ). Проанализированы критерии эффективности этого канала дефектообразования, возможные механизмы распада АЛЭ с рождением нейтральных и заряженных анионных ДФ, а также процессы размножения электронных возбуждений в ЩГК. Особое внимание уделено процессам распада катионных экситонов, в частности и с точки зрения возможности низкотемпературного создания элементарных ДФ в катионной подрешетке ЩГК. ВведениеПосле создания квантовомеханической теории твердо-го тела существенный прогресс в понимании физических явлений в кристаллических системах был связан с вве-дением концепции элементарных возбуждений. Наряду с фононами, электронами проводимости и зонными дырками к числу элементарных возбуждений (квазича-стиц) относятся и подвижные бестоковые собственные электронные возбуждения (ЭВ) -экситоны малого и большого радиусов, идею существования которых предложил Френкель [1-2].Экситоны большого радиуса, теоретически рассмот-ренные Ванье [3], были впервые обнаружены Гроссoм с сотрудниками в узкощелевой полупроводниковой си-стеме Cu 2 O [4,5]. На длинноволновом краю спектра фундаментального (собственного) поглощения была за-регистрирована водородоподобная серия узких линий, укладывающаяся в рамки модели Ванье для экситонов большого радиуса. В дальнейшем школой Гросса были обнаружены смещение экситонных полос поглощения при инверсии магнитного поля и эффект продольно по-перечного расщепления, подтверждающие когерентный характер движения экситонов в полупроводниках (см., например, [6]).В данном кратком обзоре мы рассмотрим экситонные процессы в широкощелевых щелочно-галоидных кри-сталлах (ЩГК) с кубической кристаллической струк-турой и преимущественно ионным характером связи. Экситоны в ШГК имеют малый радиус, сопоставимый с постоянной решетки. Учитывая наличие нескольких обзоров и монографий, посвященных детальному ана-лизу экспериментальных данных об экситонных про-цессах в ЩГК [7][8][9][10], мы ограничимся лишь кратким описанием проявления свободных и автолокализованных экситонов (СЭ и АЛЭ) в спектрах ЩГК. В последующих разделах внимание будет сконцентрировано на особом каналe безызлучательной аннигиляции АЛЭ с рожде-нием структурных, точечных дефектов кристаллической решетки ЩГК. Причем, наряду с прямым оптическим созданием экситонов, мы рассмотрим и случай создания вторичных экситонов в процессе размножения ЭВ. От-метим, что все вышеперечисленные процессы касаются анионных экситонов -оптических ЭВ, затрагивающих валентные электроны внешней оболочки ионов галоида. В заключительном разделе статьи будет рассмотрена " судьба" катионных экситонов, образующихся при фо-товозбуждении внешних электронов катиона. Энергия создания катионных экситонов в ЩГК варьир...

show abstract

Formation and Decay of Electronic Excitations Localized near Divacancies in Alkali Halides

Cited by 49 publications

References 11 publications

Franck–Hertz effect in cathodo- and photoluminescence of wide-gap materials

Franck–Hertz effect in cathodo- and photoluminescence of wide-gap materials

Low-temperature excitonic, electron–hole and interstitial-vacancy processes in LiF single crystals

Эволюция Анионных И Катионных Экситонов В Щелочно-Галоидных Кристаллах (О Б З О Р)

Contact Info

Product

Resources

About