Ferroelectric and Semiconducting Properties of Sn2P2S6Crystals with Intrinsic Vacancies

Vysochanskiǐ, Yu. M.; Глухов, К. Э.; Maior, M. M.; Fedyo, K.; Kohutych, A.; Беца, В. В.; Пріц, І. П.; Гурзан, М. І.

doi:10.1080/00150193.2011.578979

Cited by 22 publications

(5 citation statements)

References 11 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…1 They exhibit mixed electron-ionic conductivity [2][3][4] and promising optical 5,6 and thermoelectric properties. 7 Therefore, these layered crystals are interesting from the fundamental point of view and also they are important materials for practical as well as for technological applications. In this context, it is important to explain the microscopic origin of the wide variety of above-mentioned properties and their dependence on morphological and componential peculiarities of particular representatives of the M1M2P 2 X 6 crystal family.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Structural, electronic, vibration and elastic properties of the layered AgInP₂S₆semiconducting crystal – DFT approach

et al. 2018

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Structural, electronic, vibration and elastic properties of the layered AgInP₂S₆semiconducting crystal – DFT approach

et al. 2018

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…It was shown in that such a semiconductor is characterized by rather low chargecarrier mobilities in both the conduction and valence bands [18]. It was asserted that, owing to the presence of Sn + ions, acting as acceptors, undoped Sn 2 P 2 S 6 is a p-type semiconductor at room temperature [19].…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

Photoinduced dynamics and femtosecond excitation of phonon modes in ferroelectric semiconductor Sn2P2S6

et al. 2015

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Показано, что зона проводимо-сти состоит из нескольких узких подзон. В работе [27] утверждалось, что благодаря ионам Sn + , играющим роль акцептора, нелегированный SPS является полупроводни-ком p-типа при комнатной температуре.…”

Section: экспериментальная установкаunclassified

Генерация второй оптической гармоники и ее фотоиндуцированная динамика в сегнетоэлектрике-полупроводнике Sn-=SUB=-2-=/SUB=-P-=SUB=-2-=/SUB=-S-=SUB=-6-=/SUB=-

Брехов¹,

Гришунин²,

Afanas’ev

et al. 2018

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Методом оптической накачки-зондирования исследована сверхбыстрая динамика нелинейно-оптического отклика кристалла сегнетоэлектрика-полупроводника Sn 2 P 2 S 6 , возбуждаемая с помощью фемтосекундного лазерного импульса. Показано, что под воздействием фемтосекундных импульсов в образце происходит изменение генерации второй оптической гармоники, что может быть связано с экранировкой существующей электрической поляризации.Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (грант 14.Z50.31.0034, госзадание 3.7500.2017/9.10).DOI: 10.21883/FTT.2018.01.45285.179 ВведениеНа пути к полному оптическому переключению намаг-ниченности в магнитоупорядоченных средах был прой-ден длинный путь. Первые исследования, посвященные этой тематике, показали, что возбуждение лазерным импульсом длительностью 60 fs разрушает магнитный порядок металлической пленки ферромагнитного никеля на временах порядка 1 ps [1]. После этого была про-демонстрирована возможность возбуждения светом ко-лебаний спинов на частоте магнитного резонанса [2][3][4]. И хотя изначально амплитуды этих колебаний не превы-шали нескольких градусов, в дальнейшем было показано, что вблизи фазового перехода эти амплитуды могут быть заметно усилены [5]. В работах [6] и [7] была продемон-стрирована возможность переориентации спинов на 90 и 180• соответственно под действием фемтосекундного лазерного импульса. С учетом этих результатов была показана возможность оптической записи информации с помощью короткого лазерного импульса и за предельно короткое время [8]. Наконец, в работах [9-11] была продемонстрирована возможность записи информации путем воздействия фемтосекундных лазерных импульсов на магнитный носитель.Важно отметить, что, несмотря на очевидные ана-логии между магнитоупорядоченными и сегнетоэлек-трическими материалами, возможность сверхбыстрого переключения параметра порядка в сегнетоэлектриках изучена крайне мало и продолжает оставаться актуаль-ной задачей, решение которой позволит создать новые более эффективные устройства сегнетоэлектрической памяти [12].Ранее [13] нами была продемонстрирована возмож-ность возбуждения мягкой фононной моды в кристал-ле сегнетоэлектрика-полупроводника Sn 2 P 2 S 6 (SPS) под действием фемтосекундного лазерного импульса. Это может свидетельствовать о возможности влияния света на сегнетоэлектрический параметр порядка и, по ана-логии с магнитными материалами, может стать первым шагом на пути к полному оптическому переключению сегнетоэлектрической поляризации.Традиционным методом детектирования фазового пе-рехода является метод рентгеновской дифракции. Од-нако эта методика довольно сложна для исследования фазового перехода с временным разрешением [14].Методика генерации второй оптической гармоники (ГВГ) уже давно является одним из основных мето-дов исследования свойств сегнетоэлектрических кри-сталлов, тонких пленок и наноструктур [15][16][17][18][19] и, в отличие от рентгеновской дифракции, позволяет ис-следовать динамику сегнетоэлектрического параметра порядка.Несмотря на все преимущества, на данный момент ...

show abstract

Ferroelectric and Semiconducting Properties of Sn₂P₂S₆Crystals with Intrinsic Vacancies

Cited by 22 publications

References 11 publications

Structural, electronic, vibration and elastic properties of the layered AgInP₂S₆semiconducting crystal – DFT approach

Structural, electronic, vibration and elastic properties of the layered AgInP₂S₆semiconducting crystal – DFT approach

Photoinduced dynamics and femtosecond excitation of phonon modes in ferroelectric semiconductor Sn2P2S6

Генерация второй оптической гармоники и ее фотоиндуцированная динамика в сегнетоэлектрике-полупроводнике Sn-=SUB=-2-=/SUB=-P-=SUB=-2-=/SUB=-S-=SUB=-6-=/SUB=-

Contact Info

Product

Resources

About

Ferroelectric and Semiconducting Properties of Sn2P2S6Crystals with Intrinsic Vacancies

Cited by 22 publications

References 11 publications

Structural, electronic, vibration and elastic properties of the layered AgInP2S6semiconducting crystal – DFT approach

Structural, electronic, vibration and elastic properties of the layered AgInP2S6semiconducting crystal – DFT approach

Photoinduced dynamics and femtosecond excitation of phonon modes in ferroelectric semiconductor Sn2P2S6

Генерация второй оптической гармоники и ее фотоиндуцированная динамика в сегнетоэлектрике-полупроводнике Sn-=SUB=-2-=/SUB=-P-=SUB=-2-=/SUB=-S-=SUB=-6-=/SUB=-

Contact Info

Product

Resources

About

Ferroelectric and Semiconducting Properties of Sn₂P₂S₆Crystals with Intrinsic Vacancies

Structural, electronic, vibration and elastic properties of the layered AgInP₂S₆semiconducting crystal – DFT approach

Structural, electronic, vibration and elastic properties of the layered AgInP₂S₆semiconducting crystal – DFT approach