Features of changes in the electrical resistance of p-Si crystals under the action of an elastic one-axial mechanical load and a magnetic field

Magnetically stimulated changes in the electrophysical properties of the near-surface silicon layer

“…Figure 2 shows the characteristic curve of the resistance changes over the exposure time in the magnetostatic eld in AlSiAl [18]. It can be seen that the magnitude of the surface resistance increased by 5.5% over 1200 hours of the samples' exposure to the MF.…”

FEATURES OF MECHANICALLY STIMULATED CHANGES IN THE ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF P-Si CRYSTALS AFTER THE ACTION OF A MAGNETIC FIELD

“…Також відомо, що одновісна деформація стиску супроводжується зменшенням опору зразка кремнію p-типу провідності, що пов'язано із зменшенням поздовжньої ефективної маси важких дірок [15][16][17] та відповідним збільшенням їхньої рухливості за стиску. За зупинки процесу одновісного стиску опір зразка з часом збільшується, тому що поступово зменшується кількість залишкових в процесі деформації електронних носіїв.…”

“…Відмінності у зміні опору від механічного навантаження R/R0 = f(σ), у порівнянні із вихідними кристалами, полягають у тому, що на початковій стадії одновісної пружної деформації опір збільшується (характерний максимум на кривих R/R0 = f(σ)). Аналогічний ефект нами спостерігався і після малих доз Х-опромінення (D = 312 Гр) [15].Відомо[9,[16][17], що витримка в МП кристалів кремнію посилює процеси дегідратації та розкладу молекул гідроксилу, які входять в структуру природної окисної плівки, і, можливо, інших молекул, наприклад, молекул SiOH, SiH, SiO, наявних у приповерхневих шарах кристалів. В результаті дії МП збільшується концентрація вільних ненасичених зв'язків, що повинно сприяти протіканню адсорбційних процесів на поверхні.…”