Magnetically stimulated changes in the electrophysical properties of the near-surface silicon layer

Abstract

This papers presents the results of the inuence of a weak magnetic eld (MF) (0.354 T) on the electrophysical properties of surface structures based on p-Si. A 300-hours exposure of singlecrystal silicon samples in a magnetic eld stimulates the decay of hydrogen-containing and oxygencontaining surface complexes (ÑHX , SiOH, ÎÍ) and the formation of SiH3 centers. As a result, the surface resistance increases and the barrier properties of the BiSi(p) contact deteriorate

RADIATIVE AND MAGNETICALLY STIMULATED CHANGE OF THE ELECTRICAL PROPERTIES OF THE SiO2-Si STRUCTURE WITH A HIGH CONTENT OF DISLOCATION COMPLEXES

“…Як показано у роботах [15,26,27] при дії МП відбувається спін-залежний процес розриву хімічних зв'язків в нанокластерах структурних дефектів (Si-H, Si-OH, -O-H). Утворені після розпаду хімічних зв'язків іони водню дифундують по кристалу і пасивують акцепторні і донорні зв'язки.…”