Digest of Technical Papers.1990 Symposium on VLSI Technology 1990
DOI: 10.1109/vlsit.1990.111025
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Fabrication of three-dimensional IC using `cumulatively bonded IC' (CUBIC) technology

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“…5-10. Diese Performancedaten sind allerdings noch deutlich nach oben zu korrigieren, wenn bei der Potentialabschätzung SOI (Silicon On Insulator) und CUBIC (Cumulatively Bonded Integrated Circuits) [14] Techniken herangezogen werden, mit denen 3-dimensionale integrierte Schaltungen ähnlich wie bei "biologischen Systemen" hergestellt werden können. Allerdings sind zur Realisierung dieser Systeme noch wesentliche Fortschritte bei den Designsystemen und den "Packaging-Systemen" notwendig, bei denen die derzeitigen Trends (Bild 14) eher auf eine Konfliktsituation hinzeigen, die allerdings sowohl durch neuartige Packaging-Module (Multi Chip Module) als auch durch den verstärkten Trend zu "Systems On Chips" entschärft werden wird.…”
Section: Harmonisierungunclassified
“…5-10. Diese Performancedaten sind allerdings noch deutlich nach oben zu korrigieren, wenn bei der Potentialabschätzung SOI (Silicon On Insulator) und CUBIC (Cumulatively Bonded Integrated Circuits) [14] Techniken herangezogen werden, mit denen 3-dimensionale integrierte Schaltungen ähnlich wie bei "biologischen Systemen" hergestellt werden können. Allerdings sind zur Realisierung dieser Systeme noch wesentliche Fortschritte bei den Designsystemen und den "Packaging-Systemen" notwendig, bei denen die derzeitigen Trends (Bild 14) eher auf eine Konfliktsituation hinzeigen, die allerdings sowohl durch neuartige Packaging-Module (Multi Chip Module) als auch durch den verstärkten Trend zu "Systems On Chips" entschärft werden wird.…”
Section: Harmonisierungunclassified
“…Semiconductor devices and computer systems have evolved as feature sizes have been continuously reduced [1][2][3][4]. On the other hand, three-dimensional technology has been considered since the 1980s, mainly from the viewpoint of monolithic ICs [5][6][7][8][9][10][11]. From the late 1990s, 3D technology has been widely studied for the hybrid structure, including package from the die-level to wafer-level, e.g., how to stack semiconductor elements and how to connect between stacked dies with the vertical interconnects such as TSVs [12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22][23][24][25][26][27].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…In view of the aforementioned disadvantages of monolithic approach, alternative wafer bonding based method was proposed to implement 3D integration. In 1990, a "Cumulatively bonded IC" (CUBIC) technology was proposed by NEC corporation as the first exemplary 3D integration technique through wafer bonding [33]. As shown in Fig.…”
Section: D Integration Through Wafer Bondingmentioning
confidence: 99%
“…They can generally be classified into two categories. One is direct wiring, of which the representatives are micro-bumps [33][34][35] and through silicon vias (TSVs) [36][37][38]. The other is contactless approaches, such as the optical [45-48, 50, 51] and capacitive/inductive coupling based [52] interconnections.…”
Section: Inter-layer Interconnectionmentioning
confidence: 99%
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