ICMTS 2001. Proceedings of the 2001 International Conference on Microelectronic Test Structures (Cat. No.01CH37153)
DOI: 10.1109/icmts.2001.928651
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Extraction of the induced gate noise, channel thermal noise and their correlation in sub-micron MOSFETs from RF noise measurements

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“…En orden para validar la robustez de las puertas lógicas TL propuestas y cuya implementación es basada en transistores CMOS convencionales se implementan dos metodologías diferentes para las puertas lógicas NOT y NAND2. Los resultados de una simulación transitoria mostrados en las Figuras 5.6 y 5.7 corresponden a una simulación transitoria SPICE usando los modelos de dispositivo para una tecnología de 90nm, con un voltaje de alimentación V DD de 0.15V a una temperatura de 100 o C. El ruido interno fue generado usando la opción de ruido-transitorio del simulador de circuitos SPECTRE c , el cual genera para cada paso en el tiempo ruido térmico, ruido de parpadeo (Flicker noise) en cada canal de cada transistor y ruido de disparo para cada fuente de alimentación [66,67,68,69]. El ruido generado para cada transistor y para cada fuente de alimentación es amplificado 100 veces respecto al ruido intrínseca de la tecnología de 90nm, para emular el ambiente en futuras tecnologías que tendrán componentes muy ruidosos.…”
Section: Resultados De Simulación Para Una Implementación Basada En T...unclassified
“…En orden para validar la robustez de las puertas lógicas TL propuestas y cuya implementación es basada en transistores CMOS convencionales se implementan dos metodologías diferentes para las puertas lógicas NOT y NAND2. Los resultados de una simulación transitoria mostrados en las Figuras 5.6 y 5.7 corresponden a una simulación transitoria SPICE usando los modelos de dispositivo para una tecnología de 90nm, con un voltaje de alimentación V DD de 0.15V a una temperatura de 100 o C. El ruido interno fue generado usando la opción de ruido-transitorio del simulador de circuitos SPECTRE c , el cual genera para cada paso en el tiempo ruido térmico, ruido de parpadeo (Flicker noise) en cada canal de cada transistor y ruido de disparo para cada fuente de alimentación [66,67,68,69]. El ruido generado para cada transistor y para cada fuente de alimentación es amplificado 100 veces respecto al ruido intrínseca de la tecnología de 90nm, para emular el ambiente en futuras tecnologías que tendrán componentes muy ruidosos.…”
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