Abstract:Fin Field-Effect Transistor (FinFET) technology enables the continuous downscaling of Integrated Circuits (ICs), using the Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) technology in accordance with the More Moore domain. Despite demonstrating improvements on short channel effect and overcoming the growing leakage problem of planar CMOS technology, the continuity of feature size miniaturization tends to increase sensitivity to Single Event Upsets (SEUs) caused by ionizing particles, especially in blocks with … Show more
“…В работе [6] проведено моделирование реакции 22 нм ячейки памяти на воздействие тяжелых ядерных частиц (ТЗЧ). В работе [7] при моделировании тока ионизации в треке заряженной частицы учитываются возникающие при радиационном воздействии дефекты.…”