Etudes microlithographiques de résines négatives renfermant des unités tétrathiafulvalènes sensibles aux UV

Abstract

RESUME:Pour rCsoudre le phhomene de gonflement qui limite la resolution des resines microlithographiques classiques, nous nous sommes interessks a de nouvelles resines avec lesquelles ce phknomkne n'apparait pas. Nous avons retenu pour notre etude les resines R qui renferment en melange un polymere porteur de radicaux tktrathiafulvalknylcarbonyloxymethyles et le dibromotCtrachloroCthane. Afin de voir l'influence de la nature du radical porteur de l'unite tetrathiafulvalkne dans le polymtre sur les propriCtCs microlithographiques des resines R, nous nous sommes Cgalement interesses aux polymtres renfermant des radicaux tCtrathiafulvalCnylphCnoxymethyles. Les resines R ont Cte testees sous irradiation UV. Leurs sensibilites dependent en outre de la valeur de la masse molaire du polymke. SUMMARYIn order to solve the problem of polymer swelling which limits the resolution of negative resists, we have developed new resists where the swelling does not appear. For our study, we developed resists including polymers containing the tetrathiafulvalenylcarbonyloxymethyl radical and dibromotetrachloroethane. In order to study the influence of the nature of the radical bearing the tetrathiafulvalene unit in the polymers on the microlithographic properties of these resists, we also studied polymers containing the tetrathiafulvalenylphenoxymethyl radical. The resists have been tested under UV irradiation. The dependence of resist sensitivity on molecular weight is reported.