Etch Rates and Selectivities of Citric Acid/Hydrogen Peroxide on GaAs , Al0.3Ga0.7As , In0.2Ga0.8As , In0.53Ga0.47As , In0.52Al0.48As , and InP

DeSalvo, G.; Tseng, W. F.; Comas, J.

doi:10.1149/1.2069311

Cited by 155 publications

(44 citation statements)

References 5 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The TE-TM energy splitting is less than 50 µeV at k = 0, allowing the effective control of lasing polarization by optical pumping. (b) To determine the density-dependent spectral characteristics of PL in the InGaAs/GaAs MQWs, we measure the time-integrated and time-resolved PL in the sample, with the top DBR mirror layers removed, by selective wet etching [70]. PL spectra at P = 0.2 (blue), 0.6 (magenta), and 1 P th (green) in the absence of the top DBR mirrors.…”

Section: Discussionmentioning

confidence: 99%

Ultrafast spin-polarized lasing in a highly photoexcited semiconductor microcavity at room temperature

et al. 2015

View full text Add to dashboard Cite

We demonstrate room-temperature spin-polarized ultrafast (∼10 ps) lasing in a highly optically excited GaAs microcavity. This microcavity is embedded with InGaAs multiple quantum wells in which the spin relaxation time is less than 10 ps. The laser radiation remains highly circularly polarized even when excited by nonresonant elliptically polarized light. The lasing energy is not locked to the bare cavity resonance, and shifts ∼10 meV as a function of the photoexcited density. Such spin-polarized lasing is attributed to a spin-dependent stimulated process of correlated electronhole pairs. These pairs are formed near the Fermi edge in a high-density electron-hole plasma coupled to the cavity light field.

show abstract

Section: Discussionmentioning

confidence: 99%

Ultrafast spin-polarized lasing in a highly photoexcited semiconductor microcavity at room temperature

et al. 2015

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Аналіз отриманих результатів свідчить про домінуючий вплив стадії дифузії на загальну швидкість розчинення кристалів. Оскільки лінія залежності швидкості травлення InSb від швидкості перемішування розчину перетинає вісь ординат, це свідчить про змішаний механізм процесу розчинення [11]. Для підтвердження даних припущень були проведені додаткові дослідження впливу температурного фактору на швидкість взаємодії реагентів та визначено значення уявної енергії активації процесу (рис.…”

Section: вступunclassified

CHEMICAL DISSOLUTION InAs, InSb, GaAs AND GaSb IN THE (NH4)2Cr2O7−HBr−H2O ETCHING COMPOSITIONS

Levchenko

Tomashyk

Stratiychuk

et al. 2017

Odesa National University Herald. Chemistry

View full text Add to dashboard Cite

Проведено дослідження особливостей взаємодії InAs, InSb, GaAs та GaSb з травиль ними розчинами (NH 4 ) 2 Cr 2 O 7 −HBr−H 2 O. Визначено вплив складу трав-ника, його швидкості перемішування та температури на швидкість розчинен-ня підкладок. Установлений дифузійний механізм процесу розчинення кристалів (Е а =8,1-9,7кДж/моль). Показано, що хіміко-динамічне полірування травника-ми складу (NH 4 ) 2 Cr 2 O 7 −HBr−H 2 O зменшує структурні порушення напівпровідників (R a =0,2-9,3 нм).Ключові слова: травильні композиції, хіміко-динамічне полірування, швидкість трав-лення, уявна енергія активації. ВСТУПНапівпровідники типу A III B V ефективно використовуються для виготовлення ІЧ лазерів, світлодіодів, детекторів оптичного зв'язку, термофотоелектричних генера-торів та ін. Підкладки GaAs, InGaAs та InAs, які демонструють хороші властивос-ті переносу електронів, широко застосовуються у виробництві високошвидкісних та високочастотних електронних систем [1].Технологія обробки поверхні кристалів впливає на структуру та фізико-хімічні властивості підкладок, а також на відтворюваність результатів та характеристики отриманих на їх основі приладів. Оскільки напівпровідникам типу A III B V власти-ва крихкість, хімічне полірування являється одним з найефективніших методів об-робки їх поверхні.В порівнянні з іншими методами обробки поверхні підкладок, хімічне поліру-вання характеризується рядом переваг: 1) відносна простота та доступність реалізації хімічного травлення, оскільки процедура потребує нескладного та дешевого обладнання;2) швидкість проведення та надійність методу робить його універсальним для травлення широкого спектру матеріалів;3) відсутність структурних спотворень та деформацій; 4) можливість обробки матеріалів з різним ступенем складності профілю та конфігурації; 5) забезпечення високої згладжуючої здатності та ефективного полірування за короткий термін; 6) порівняно невисока трудоємність процесу. Ефективним методом травлення напівпровідників є хіміко-динамічне поліру-вання (ХДП) у відтворюваних гідродинамічних умовах з використанням методики диску, що обертається. Його принцип полягає в перемішуванні травника безпосе-редньо над поверхнею підкладок. За рахунок цього свіжі порції травильного роз-

show abstract

“…8 Selectivity study involving citric acid/hydrogen peroxide was also conducted for the GaAs-based and InP-based material systems. 9 The selectivity for GaAs/Al 0.3 Ga 0.7 As was 116. Citric acid/ammonium hydroxide/ hydrogen peroxide solution was used for selective etch of GaAs/ Al 0.22 Ga 0.78 As to obtain a selectivity of 200.…”

mentioning

confidence: 99%

“…There have been many efforts reported for the selective etch of III-V compound semiconductors. [8][9][10][11][12] The selectivity for GaAs/ Al 0.3 Ga 0.7 As was found to be 95 when the volume ratio of the citric acid/hydrogen peroxide etch solution was 10:1. 8 Selectivity study involving citric acid/hydrogen peroxide was also conducted for the GaAs-based and InP-based material systems.…”

mentioning

confidence: 99%

A GaAs/AlAs Wet Selective Etch Process for the Gate Recess of GaAs Power Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors

Chang

Lai

Lee

et al. 2001

J. Electrochem. Soc.

View full text Add to dashboard Cite

A highly selective wet chemical etch process for gate recess of the GaAs power metal-semiconductor field effect transistors (MES-FETs) was developed. The power MESFETs used in this study were epitaxially grown devices with a 20 Å AlAs etch-stop layer for gate recess. The selective etch process using citric acid/potassium citrate/hydrogen peroxide solution was studied. A selectivity better than 3800:1 was achieved for GaAs/AlAs layers. This selective etch was applied both to high-power, high-voltage power MESFETs and low-voltage large-periphery power MESFETs. For high-power applications, the 14.7 mm device had a breakdown voltage of 22 V. When tested at 1.88 GHz with a drain bias of 10 V, it provided a maximum output power of 38.8 dBm and a maximum power-added efficiency of 52.5%. For low-voltage applications, the 19.8 mm device was tested under IS-95 code-division multiple access (CDMA) modulation at 1.88 GHz with a drain bias of 3.5 V. Under CDMA modulation, the device showed an output power of 28.03 dBm with an adjacent channel power rejection of Ϫ29.6 dBc at 1.25 MHz offset frequency. Both devices also showed excellent uniformity in pinch-off voltages.

show abstract

Etch Rates and Selectivities of Citric Acid/Hydrogen Peroxide on GaAs , Al0.3Ga0.7As , In0.2Ga0.8As , In0.53Ga0.47As , In0.52Al0.48As , and InP

Cited by 155 publications

References 5 publications

Ultrafast spin-polarized lasing in a highly photoexcited semiconductor microcavity at room temperature

Ultrafast spin-polarized lasing in a highly photoexcited semiconductor microcavity at room temperature

CHEMICAL DISSOLUTION InAs, InSb, GaAs AND GaSb IN THE (NH4)2Cr2O7−HBr−H2O ETCHING COMPOSITIONS

A GaAs/AlAs Wet Selective Etch Process for the Gate Recess of GaAs Power Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors

Contact Info

Product

Resources

About