Abstract:The questions of natural science knowledge of the laws of Nature, actualizing the problem of positioning atoms of chemical elements. Using the known physical concepts and methodology of information retrieval of significant indicators of the event, an endogenous model of the atom is formed. A set of mathematical procedures characterizing the systemic nature of changes in the properties of atomic structures is proposed. A series of computational procedures for estimating the mass of atoms over the entire natural… Show more
“…Этот тезис является чрезвычайно важным для понимания процессов Природы. По современным представлениям, каждый химический элемент обладает уникальным спектром излучения и характеризуется определенной величиной энергии [2,3]. tuzs.sut.ru Это соответствует факту существования некоторой константы -постоянной Планка, произведение которой на частоту излучения конкретного атома «воспроизводит» определенный физический эффект излучения.…”
Section: аннотация: разработка и создание полупроводниковых устройствunclassified
“…Однако, следует признать, что наличие в этой области примесей создает условия формирования малых по величине токов. Это соответствует теоретическим моделям описания рабочих процессов в контактном слое [3].…”
Section: аннотация: разработка и создание полупроводниковых устройствunclassified
“…Такая конструкция ДГС обеспечивала существенное увеличение концентрации разнополярных носителей в тонком слое, что способствовало проявлению положительной обратной связи. При этом отражение фотонов от гетеропереходов способствует развитию процессов, направленных на понижении концентрации в области низкого усиления [3,4].…”
“…Апертурная характеристика излучения лазера определяется дифракционными параметрами полупроводниковых материалов. При толщине p-n-перехода в 20 мкм и ширине -120 мкм, типовая угловая расходимость соответствует приблизительно 6 0 в плоскости XZ и 1 0 -в плоскости YZ [3].…”
Section: рис 2 схема конструкции лазера на P-n-переходеunclassified
“…Выделение «протон -нейтрон» пары создает идентификатор конструкции, который в физическом отношении характеризует особенности организации и поддержки фотонных потоков в полупроводниковом лазере, где инициализируются запрещенная зона, зона проводимости и валентная зона. Проведем необходимые расчеты параметров: «добротность», «количество мод», «ширина запрещенной зоны», также укажем справочные данные [3] (таблица 2). Коэффициент корреляции расчетных и справочных данных оказался равен η = = 0,745071.…”
Section: рис 2 схема конструкции лазера на P-n-переходеunclassified
Development and creation of semiconductor devices updates a problem of the preliminary modeling allowing lowering substantially costs of carrying out scientific and technological research. In the presented material of work information approach on creation of fractal model of the semiconductor structure taking into account atomic designs of chemical elements providing a possibility of a priori research and calculation of standard indicators of working processes of the semiconductor is considered. The methodological basis of process of modeling of semiconductors is represented a basis for development of heterogeneous designs.
“…Этот тезис является чрезвычайно важным для понимания процессов Природы. По современным представлениям, каждый химический элемент обладает уникальным спектром излучения и характеризуется определенной величиной энергии [2,3]. tuzs.sut.ru Это соответствует факту существования некоторой константы -постоянной Планка, произведение которой на частоту излучения конкретного атома «воспроизводит» определенный физический эффект излучения.…”
Section: аннотация: разработка и создание полупроводниковых устройствunclassified
“…Однако, следует признать, что наличие в этой области примесей создает условия формирования малых по величине токов. Это соответствует теоретическим моделям описания рабочих процессов в контактном слое [3].…”
Section: аннотация: разработка и создание полупроводниковых устройствunclassified
“…Такая конструкция ДГС обеспечивала существенное увеличение концентрации разнополярных носителей в тонком слое, что способствовало проявлению положительной обратной связи. При этом отражение фотонов от гетеропереходов способствует развитию процессов, направленных на понижении концентрации в области низкого усиления [3,4].…”
“…Апертурная характеристика излучения лазера определяется дифракционными параметрами полупроводниковых материалов. При толщине p-n-перехода в 20 мкм и ширине -120 мкм, типовая угловая расходимость соответствует приблизительно 6 0 в плоскости XZ и 1 0 -в плоскости YZ [3].…”
Section: рис 2 схема конструкции лазера на P-n-переходеunclassified
“…Выделение «протон -нейтрон» пары создает идентификатор конструкции, который в физическом отношении характеризует особенности организации и поддержки фотонных потоков в полупроводниковом лазере, где инициализируются запрещенная зона, зона проводимости и валентная зона. Проведем необходимые расчеты параметров: «добротность», «количество мод», «ширина запрещенной зоны», также укажем справочные данные [3] (таблица 2). Коэффициент корреляции расчетных и справочных данных оказался равен η = = 0,745071.…”
Section: рис 2 схема конструкции лазера на P-n-переходеunclassified
Development and creation of semiconductor devices updates a problem of the preliminary modeling allowing lowering substantially costs of carrying out scientific and technological research. In the presented material of work information approach on creation of fractal model of the semiconductor structure taking into account atomic designs of chemical elements providing a possibility of a priori research and calculation of standard indicators of working processes of the semiconductor is considered. The methodological basis of process of modeling of semiconductors is represented a basis for development of heterogeneous designs.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.