Equivalence and characteristic connections of the Monge-Ampere equations

Abstract

Thermal simulation of CMOS processing has been done. It was found that LPCVD Si,N, layer deposition and subsequent thick oxide growth generate process-induced defects. These defects are demonstrated by double-crystal x-ray reflection topography.

Уравнения Монжа - Ампера И Тензориальные Функторы

“…Применение этой конструкции позволяет построить для всякого уравнения Монжа-Ампера в общем положении отвечающую ему аффинную характеристическую связность (см. [7], [9]). Отметим, что и для этой конструкции оператора ковариантного дифференцирования ∇ j в полной мере справедливо замечание, аналогичное замечанию 6.13.…”

“…Некоторые результаты о контактной редукции уравнений Монжа-Ампера к полулинейным, линейным относительно производных и уравнениям с постоянными коэффициентами доказаны автором в работе [6]. В статье [7] содержится подробное обоснование конструктивного алгоритма, позволяющего естественным образом сопоставлять всякому уравнению Монжа-Ампера в общем положении аффинную связность. Обобщение этого алгоритма изложено в работе [9].…”