Epitaxy of semipolar GaN on a Si(001) substrate with a SiC buffer layer

Бессолов, В. Н.; Konenkova, E. V.; Кукушкин, С. А.; Myasoedov, A. V.; Осипов, А. В.; Rodin, S. N.; Shcheglov, M. P.; Феоктистов, Н. А.

doi:10.1134/s1063785014050046

Cited by 16 publications

(13 citation statements)

References 11 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Если при химической обработке Si в процессе его очистки происходит " перетравливание", то дополни-тельное воздействие газа CO на подобную поверхность только ведет к усилению данного воздействия. Как было отмечено выше, упругая энергия, возникающая от дислокации в Si, лежащей вблизи поверхности тонкого слоя SiC, оказывает существенное влияние на механизм зарождения пленок AlN и GaN, приводя к образованию так называемых V -дефектов на их поверхности [9,10]. Наши исследования однозначно показали, что темпера-тура раствора ПАР на этапе операции I-2, т. е. операции, на которой происходит медленное растворение соб-ственной гидратированной оксидной пленки и образо-вание нового за счет окисления поверхности оксидного слоя, оказывает весьма сильное воздействие на плот-ность V -дефектов на поверхности пленок AlN и GaN, выращенных на поверхности слоя SiC, который в свою очередь был выращен на протравленном и пассивиро-ванном Si.…”

Section: влияние травления и пассивирования Si на структуру слоев Sicunclassified

“…Сквозь эти нанотрубы выходит газообразный продукт реакции SiO, образуя на поверхности пленки SiC структуры, напоминающие вулканы на поверхности Земли [4,5]. Оказывается [8,9], что, даже если нанотрубы не выходят непосредственно на поверхность пленки SiC, а находятся вблизи нее, все равно упругая энергия, возникающая при этом, оказывает существенное влияние на начальные стадии зарождения пленок нитридов алюминия (AlN) и галлия (GaN). Дислокационные нанотрубы приводят к образованию так называемых V -дефектов на поверхно-сти пленок AlN и GaN [8,9].…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Влияние Химической Подготовки Поверхности Кремния На Качество И Структуру Эпитаксиальных Пленок Карбида Кремния, Синтезированных Методом Замещения Атомов

Кукушкин¹,

Калинкин²,

Осипов³

2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

The fundamentals of a new technique for the cleaning and passivation of (111), (110), and (100) silicon wafer surfaces by hydride groups, which ensure a high surface purity and smoothness at the nanoscale upon long-term storage of the wafers at room temperature in air, are discussed. A new composition of the passivation solution for the long-term antioxidation protection of silicon surfaces is developed. The proposed solution is suitable for the long-term storage and repeated passivation of silicon wafers. The composition of the passivation solution and the conditions of passivation of the silicon wafers in it are described. Silicon wafers treated using the proposed technique can be used for growing epitaxial semiconductor films and different nanostructures. It is shown that only silicon surfaces prepared in this way allow SiC epitaxial films on silicon to be grown by atom substitution. The experimental dependences of the SiC and GaN film structures grown on silicon on the silicon-surface etching conditions are presented. The developed technique for silicon cleaning and passivation can both be used under laboratory conditions and easily adapted for the industrial production of silicon wafers with an oxidation-resistant surface coating.

show abstract

Section: влияние травления и пассивирования Si на структуру слоев Sicunclassified

Section: Introductionunclassified

Влияние Химической Подготовки Поверхности Кремния На Качество И Структуру Эпитаксиальных Пленок Карбида Кремния, Синтезированных Методом Замещения Атомов

Кукушкин¹,

Калинкин²,

Осипов³

2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Толщина слоя SiC составля-ла ∼ 100 nm. Затем, на выращенных слоях SiC методом HVPE [10] был синтезирован буферный слой AlN толщи-ной ∼ 300 nm и основной слой GaN толщиной до 40 µm. Температура роста буферного слоя AlN была 1080…”

Section: методика экспериментаunclassified

Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si

Кукушкин¹,

Осипов²,

Бессолов³

et al. 2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Обнаружен эффект изменения направления распространения дислокации несоответствия при росте слоев GaN на поверхности структуры AlN/SiC/Si(111). Эффект заключается в том, что при достижении слоем GaN, растущим на AlN/SiC/Si(111) определенной толщины ~300 nm, дислокации несоответствия первоначально, распространяющиеся вдоль оси роста слоя останавливаются и начинают двигаться в перпендикулярном к оси роста направлению. Построена теоретическая модель зарождения AlN и GaN на грани (111) SiC/Si, объясняющая эффект изменения направления движения дислокации несоответствия. Обнаружен экспериментально и объяснен теоретически эффект смены механизма зарождения с островкового для AlN на SiC/Si(111) на послойный при зарождении слоя GaN на AlN/SiC/Si. Авторы благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102). Работа выполнена при использовании оборудования Уникальной научной установки (УНУ) Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУН ИПМаш РАН (г. Санкт-Петербург). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44266.287

show abstract

“…In particular, GaN on Si(001) is promising for highly functional devices such as III-nitride semiconductor-based optoelectronic and complementary metal-oxide-semiconductor devices. Researchers previously investigated III nitride semiconductors on Si(001) with AlN which is grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) [4][5][6][7], hydride vapor phase epitaxy [8], molecular beam epitaxy [9,10], sputtering deposition [10][11][12], and pulsed laser deposition [13]. Thus far, it is more difficult to grow single crystalline GaN on Si(001) because of the existence of several crystal domains in the in-plane orientation.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Single-crystalline semipolar GaN on Si(001) using a directional sputtered AlN intermediate layer

Mitsunari

Lee

Honda

et al. 2015

Journal of Crystal Growth

View full text Add to dashboard Cite

Epitaxy of semipolar GaN on a Si(001) substrate with a SiC buffer layer

Cited by 16 publications

References 11 publications

Влияние Химической Подготовки Поверхности Кремния На Качество И Структуру Эпитаксиальных Пленок Карбида Кремния, Синтезированных Методом Замещения Атомов

Влияние Химической Подготовки Поверхности Кремния На Качество И Структуру Эпитаксиальных Пленок Карбида Кремния, Синтезированных Методом Замещения Атомов

Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si

Single-crystalline semipolar GaN on Si(001) using a directional sputtered AlN intermediate layer

Contact Info

Product

Resources

About