Epitaxy of gallium nitride in semi-polar direction on silicon

Бессолов, В. Н.; Zhilyaev, Yu. V.; Konenkova, E. V.; Полетаев, Н. К.; Sharofidinov, Sh. Sh.; Shcheglov, M. P.

doi:10.1134/s1063785012010051

Cited by 10 publications

(1 citation statement)

References 13 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Однако непосредственный рост GaN на кремниевых подложках приводит к ряду негативных эффектов, для минимизации которых между подложкой Si и A III B V пленкой зачастую выращивают промежуточные слои AlN/GaN или буферные слои AlN. В работе [3] с помощью специальной обработки подложки Si(100) был выращен буферный слой AlN толщиной ∼ 600 нм, на котором в последующем был получен полуполярный слой GaN в направлении плоскости (1013). Технологии на основе предварительной подготовки применялись в работах [4,5], а также с введением пористой прослойки -в работах [6,7].…”

Section: Introductionunclassified

Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

Seredin¹,

Barkov²,

Голощапов³

et al. 2021

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Сообщается о росте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии пленки GaN на предварительно обработанных кремниевых подложках Si(001) через буферный слой AlN. Продемонстрировано, что использование предложенной технологии привело к образованию в подложке Si переходного субслоя, дальнейший рост на котором обеспечил формирование столбчатых зерен GaN, между которыми находится тонкая прослойка фазы AlN. Эпитаксиальная пленка GaN имеет низкую величину остаточных напряжений, что нашло свое отражение в интенсивной люминесценции. Ключевые слова: хлорид-гидридная газофазная эпитаксия, фотолюминесценция, GaN, AlN, Si.

show abstract