Electronic properties of the surface of perylene tetracarboxylic acid dianhydride film upon deposition of the ultrathin conjugated layers of Pyronine B

Плотность Незаполненных Электронных Состояний Осажденных В Вакууме Пленок Диоктил-Замещенного И Дифенил-Замещенного Перилен-Дикарбоксимида

“…Контроль толщины и измерения электронной структуры зоны про-водимости исследованных пленок производили методом СПТ, согласно которому параллельный пучок электро-нов площадью 0.2−0.4 mm 2 направляется по нормали к исследуемой поверхности, и регистрируется производ-ная по энергии от полного тока S(E), проходящего через образец, как функция энергии падающих электронов, которую варьируют в пределах от 0 до 25 eV [9,10]. Инструментально СПТ реализована с использованием стандартного анализатора дифракции медленных элек-тронов.…”

“…При этом в случае неупорядоченных поверхно-стей картина дифракционных рефлексов не наблюдается, а интегральный ток вторичных электронов может быть измерен. Зависимость S(E), тонкая структура спектров полного тока (ТССПТ), отражает изменения значения коэффициента упругого рассеяния падающих низкоэнер-гетических электронов от поверхности исследуемого образца, которые связаны с зависимостью плотности незаполненных электронных состояний (DOUS) от энер-гии, как было показано ранее для широкого круга неорганических и органических полупроводниковых ма-териалов [9,[15][16][17].…”

“…При такой толщине исследованных органических пленок ТССПТ практи-чески не зависит от материала подложки и является характеристикой исследованного органического матери-ала [11][12][13]. Действительно, при физической адсорбции органических молекул на подложку влияние последней в значительном количестве случаев распространяется на пограничную область в органической пленке толщиной не более 2 nm [6,9,25]. При этом в некоторых случаях, как например в случае пленок замещенных периленов на поверхности оксида цинка, первый молекулярный слой пленки может даже состоять из молекулярных ионов, однако при увеличении толщины органического покры-тия влияние подложки значительно уменьшается [26].…”

“…При этом в некоторых случаях, как например в случае пленок замещенных периленов на поверхности оксида цинка, первый молекулярный слой пленки может даже состоять из молекулярных ионов, однако при увеличении толщины органического покры-тия влияние подложки значительно уменьшается [26]. Как было показано в ряде работ, структура максимумов DOUS соответствует структуре максимумов ТССПТ и может быть построена в виде производной S(E) с обратным знаком: −dS(E)/dE [9,15]. DOUS пленок PTCDI-С 8 , построенная на осно-ве экспериментальных результатов, представлена на pис.…”

“…Одним из экспериментальных подходов к изуче-нию плотности незаполненных электронных состоя-ний (DOUS) является методика спектроскопии полного тока (СПТ) [9,10], в которой используется тестиру-ющий пучок низкоэнергетических электронов и про-изводится регистрация интегрального тока вторичных электронов. Одновременный теоретический анализ с использованием результатов ab initio расчетов позво-ляет определить природу обнаруженных максимумов DOUS.…”