Плотность Незаполненных Электронных Состояний Осажденных В Вакууме Пленок Диоктил-Замещенного И Дифенил-Замещенного Перилен-Дикарбоксимида

Abstract

Приведены результаты исследования плотности незаполненных электронных состояний в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше энергии Ферми (EF) в сверхтонких пленках диоктил-замещенного и дифенил-замещенного перилен-дикарбоксимида. Экспериментальные результаты получены путем регистрации тока вторичных низкоэнергетических электронов с использованием методики спектроскопии полного тока. Теоретический анализ включал в себя расчет энергий и пространственного распределения орбиталей иссле-дованных молекул методом теории функционала плотности и последующее масштабирование рассчитанных значений энергий орбиталей согласно процедуре, хорошо зарекомендовавшей себя ранее при исследованиях малых сопряженных органических молекул. Обнаружено, что для обоих видов исследованных пленок при энергиях ниже 8 eV над EF расположены по два основных максимума плотности незаполненных электронных состояний, образованных преимущественно π * -орбиталями молекул. Более высоколежащие максимумы имеют преимущественно σ * характер. Проведен анализ влияния диоктил-и дифенил-замещающих групп на плотность незаполненных электронных состояний при сравнении результатов для исследованных видов пленок. В случае π * -максимумов наблюдается относительный сдвиг, около 1 eV, по энергии. В области σ * -электронных состояний наблюдается незначительная перестройка структуры максимумов.Работа выполнена при поддержке научного гранта СПбГУ 11.38.219.2014, РФФИ (14-03-00087 и 15-29-05786).

Пористый Кремний Как Наноматериал Для Дисперсных Транспортных Систем Направленной Лекарственной Доставки Ко Внутреннему Уху

“…Исследования про-водились в условиях сверхвысокого вакуума порядка 10 −7 Pa при комнатной температуре, в случае использо-вания системы компенсации зарядки образца парциаль-ное давление аргона в аналитической камере составляло 10 −5 Pa. Энергия возбуждающих фотонов составляла 1486 eV, спектры остовных уровней были измерены при энергии пропускания анализатора 20 eV. Поверхно-сти, приготовленные ex situ, адсорбируют из воздуха кислород-и углеродсодержащие примеси [28][29][30], поэто-му непосредственно перед XPS-измерениями проводили очистку исследованных поверхностей методом ионной бомбардировки.…”

“…4) показал наличие максимума Si 2p при значениях 102.5−103 eV, что характерно для окисленного крем-ния [28,33]. Это соответствует современным представ-лениям о метаболизме частиц por-Si в организме [34].…”

Исследование Пленок Диметилдиимида Перилентетракарбоновой Кислоты Методами Циклической Термодесорбции И Сканирующей Зондовой Микроскопии

“…К настоящему времени установлено, что PTCDI яв-ляется органическим полупроводником n-типа, причем величина проводимости зависит от морфологии пленок; на электронную структуру пленок может оказывать влияние их толщина, а также как сама величина, так и тип проводимости могут изменяться под воздействием окружающей среды [7][8][9][10][11]. Отметим, что указанные факты были обнаружены путем макроскопических изме-рений, и в случае локальных измерений в нанометро-вом диапазоне могут проявиться иные свойства.…”

“…Однако широкое практическое применение этих материалов сдерживается недостаточным знанием механизма и закономерностей их электропроводности, особенно при наличии окружающей воздушной среды. Кроме того, недостаточно изучен вопрос о влиянии надмолекулярной структуры пленок на их электрофизи-ческие свойства, а также отсутствуют надежные методы идентификации кластеров PTCDI на подложках, в том числе в составе нанокомпозитов.К настоящему времени установлено, что PTCDI яв-ляется органическим полупроводником n-типа, причем величина проводимости зависит от морфологии пленок; на электронную структуру пленок может оказывать влияние их толщина, а также как сама величина, так и тип проводимости могут изменяться под воздействием окружающей среды [7][8][9][10][11]. Отметим, что указанные факты были обнаружены путем макроскопических изме-рений, и в случае локальных измерений в нанометро-вом диапазоне могут проявиться иные свойства.…”

Электронные состояния зоны проводимости ультратонких пленок тиофен-фенилен со-олигомера и замещенного бифенила на поверхности послойно выращенного ZnO

“…5, c). Формирование сплошных пленок СH 3 -PTTP-СH 3 и BPDA дает возможность проводить анализ изменения интенсивности максимумов ТССПТ, предполагая экспоненциальный рост интенсивности максимумов осаждаемого слоя и экспоненциальное затухания сигнала подложки[33,36].…”