Electrical, structural and optical properties of SnO2 thin films prepared by spray pyrolysis

Seri̇n, Tülay; Serin, N.; Karadeniz, S.; Sarı, H.; Tuğluoğlu, Nihat; Pakma, Osman

doi:10.1016/j.jnoncrysol.2005.11.031

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“…Die Intensitäten von bestimmten Peaks, besonders von (110) und (211), werden mit zunehmender Temperatur und fortgesetztem Kristallitwachstum (12-48 nm) stärker. [141] Halbleitergassensoren SP auf Borosilicatglas als Substrat abgeschieden wurden, dessen Temperatur bei 300-500 8C lag. [141] Bei 300 8C wurden vorwiegend amorphe -und bei höherer Substrattemperatur zunehmend kristalline (tetragonale Cassiteritstruktur) -Filme abgeschieden.…”

Section: Kristallinität Und Korngrößeunclassified

“…[141] Halbleitergassensoren SP auf Borosilicatglas als Substrat abgeschieden wurden, dessen Temperatur bei 300-500 8C lag. [141] Bei 300 8C wurden vorwiegend amorphe -und bei höherer Substrattemperatur zunehmend kristalline (tetragonale Cassiteritstruktur) -Filme abgeschieden. [141] Die Auswertung der Intensitäten der XRD-Peaks ergibt, dass die SnO 2 -Kristallite zwischen 350 und 500 8C von 12 auf 48 nm wachsen.…”

Section: Kristallinität Und Korngrößeunclassified

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Halbleitergassensoren: Trockensynthese und Anwendung

2010

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Seit der Entwicklung erster Chemiresistorgassensoren auf Metalloxidbasis wurden Wandler mit neuartigen Eigenschaften durch Nass‐ und Trockenabscheidung erzeugt. Der Direktaufbau nanostrukturierter Filme aus der Gasphase verspricht dabei eine einfache Herstellung und Steuerbarkeit, und mit geeigneten Synthese‐ und Abscheidungsmethoden können nm‐ bis μm‐dicke Filme hergestellt werden. Dichte Strukturen werden durch chemische oder Dampfabscheidungsverfahren unter kontrollierten Bedingungen erzeugt, Nanopartikelfilme durch Abscheidung mono‐ oder polydisperser, aggregierter oder agglomerierter Nanopartikel aus einem Gas. Durch schlagartiges Abkühlen während der Synthese lassen sich neuartige Materialien in Nichtgleichgewichts‐ oder substöchiometrischen Zuständen einfangen. Dieser Aufsatz beschreibt die gängigsten Verfahren für die Herstellung von Metalloxid‐Halbleiterdetektoren für chemische Gassensoren. Außerdem wird die Synthese hochporöser Filme mit neuentwickelten Aerosoltechniken diskutiert. Die chemischen und Struktureigenschaften werden der erhaltenen Sensorleistung gegenübergestellt.

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Section: Kristallinität Und Korngrößeunclassified

Halbleitergassensoren: Trockensynthese und Anwendung

2010

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“…Dielectrics with high bandgap are desired to increase the band offset and the stability of Thin Film Transistor (TFTs), because high conduction band offset helps the electrical confinement of charge carriers in the semiconductor 12 . Considering that the Al 2 O 3 bandgap is about 9 eV and SnO 2 is about 3.6eV [13] , the bandgap difference is about 5.4eV, which allows a considerable band offset between respective valence and conduction band of these materials. In the case of the system ZnO/Al 2 O 3 , the bandgap difference is 5.7eV, because the ZnO has bandgap of about 3.3eV.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Heterojunction between Al2O3 and SnO2 thin films for application in transparent FET

et al. 2014

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Alternative materials for use in electronic devices have grown interest in the past recent years. In this paper, the heterojunction SnO 2 /Al 2 O 3 is tested concerning its use as a transparent insulating layer for use in FETs. The alumina layer is obtained by thermal annealing of metallic Al layer, deposited by resistive evaporation technique. Combination of undoped SnO 2 , deposited by sol-gel-dip-coating technique, and Al thermally annealed in O 2 -rich atmosphere, leads to fair insulation when the number of aluminum oxide layers is 4, with 0.3% of the current lost through the gate terminal as leakage current. This insulation is not obtained for devices with alumina layer treated for long time, under room atmosphere, due to degradation of the insulating film and interfusion with the conduction channel even using Sb-doped SnO 2 . The annealing of Al deposited on soda-lime glass substrate leads also to the formation of a Si layer, crystallized at Substrate/Al 2 O 3 interface. The conclusion is that for an efficient insulation the thermal annealing must be short and then, O 2 -rich atmospheres are preferred.

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“…Tin oxide seems to be the one of the most interesting material which are chemically inert, mechanical hard and heat-resistant. They exhibit low electrical resistivity and high optical transmittance [1,2], tin oxide films are stable at high temperatures, have excellent resistant to mechanical wear, and have very good adhesion to many substrates [3,4]. (SnO 2 ) is a crystalline solid with tetragonal crystal lattice.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Effect of Heat Treatment on the Optical Properties of Cobalt Doped Stannic Oxide

Hasan

2014

ILCPA

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This study investigates The effect of annealing on The optical properties of (SnO 2 :Co) films prepared by spray pyrolysis (SP) technique at a glass substrate temperature (Ts = 773 K). The absorbance and transmittance spectra have been recorded in order to calculate the optical constant and the optical band gap energy of the films. It was found that the annealing affects all the parameters under investigations.

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Electrical, structural and optical properties of SnO2 thin films prepared by spray pyrolysis

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Halbleitergassensoren: Trockensynthese und Anwendung

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