Electrical and optical characteristics of n-type-doped distributed Bragg mirrors on InP

Optical Injection-Locking of VCSELs

“…The top mirror was realized using pdoped SiO 2 -Si reflectors. A year later, in 1998, Dias et al reported the growth of InGaAsPInP, AlGaInAs-AlInAs and AlGaAsSb-AlAsSb based DBRs on InP substrates to achieve reflectivities up to 99.5% (Dias et al, 1998). Soon afterward, in 1999, Boucart et al extended their previous work to demonstrate the room temperature CW operation of a 1.55μm VCSEL.…”

Refletividade em Espelhos de Bragg de AlGaAsSb/AlAsSb sobre InP

“…Observamos que mesmo com um número relativamente pequeno de períodos (20,5), obtivemos uma alta refletividade, quando comparado a outros sistemas, como InGaAsP/InP ou AlGaInAs/AlInAs (DIAS et al, 1998). O número pequeno de períodos permite a preparação de espelhos de Bragg com menor espessura e com menor tempo de crescimento.…”

“…A espessura total do espelho de Bragg estudado é de 4,518 µm. Este é um valor inferior ao utilizado em espelhos de Bragg com a mesma refletividade fabricados com ligas de outros materiais semicondutores como por exemplo InGaAsP/InP (DIAS et al, 1998). Devido ao menor contraste do índice de refração, para se obter uma refletividade de ∆n ≅ 0,27 na liga InGaAsP/InP, é necessário preparar o espelho de Bragg com 40,5 períodos, levando a uma espessura total de 9,472 µm .…”

“…Para o desenvolvimento de espelhos de Bragg em intervalos de maiores comprimentos de onda (1,3µm a 1,6µm) -janela de baixa dispersão e baixa atenuação para a transmissão por fibras ópticas -um sistema com parâmetro de rede "acordado" a substratos de InP é o mais desejado devido ao atual estágio de maturidade tecnológica no processamento deste material (HARMAND et al, 1995). Vários sistemas de materiais semicondutores tem sido experimentados (ex: InGaAsP/InP, AlGaInAs/ AlInAs, AlGaAsSb/AlAsSb) (DIAS et al, 1998) contudo, até o momento, existem em todos eles problemas não resolvidos. Em sistemas de InGaAsP/ InP e AlGaInAs/AlInAs o contraste de índice de refração é pequeno (∆n ≅ 0,3) o que exige a preparação de estruturas, para os espelhos de Bragg, com um grande número de períodos (30 a 50) para se atingir 99% de refletividade.…”

“…Em sistemas de InGaAsP/ InP e AlGaInAs/AlInAs o contraste de índice de refração é pequeno (∆n ≅ 0,3) o que exige a preparação de estruturas, para os espelhos de Bragg, com um grande número de períodos (30 a 50) para se atingir 99% de refletividade. O sistema AlGaAsSb/ AlAsSb apresenta um grande contraste entre os índices de refração (∆n~0.54), entretanto, é um sistema pouco estudado e que apresenta ainda, devido a isto, dificuldades para a preparação de cristais livres de deslocações (HARMAND et al, 1997;(DIAS et al, 1997(DIAS et al, , 1998. Portanto, na faixa de grandes comprimentos de onda, não está ainda estabelecido qual sistema de materiais é mais adequado para a preparação de microcavidades para VCSELs.…”