Effects of film thickness and annealing on the magnetic properties of GaMnAsP ferromagnetic semiconductor

Exchange bias in ferromagnetic bilayers with orthogonal anisotropies: the case of GaMnAsP/GaMnAs combination

“…The phosphorus cell was then opened, and a ~21 nm Ga 0.94 Mn 0.06 As 0.77 P 0.23 layer was deposited directly on Ga 0.94 Mn 0.06 As. The thicknesses of 12 nm and 21 nm for Ga 0.94 Mn 0.06 As and Ga 0.94 Mn 0.06 As 0.77 P 0.23 layers, respectively, were selected in order to have well-defined in-plane easy axes in Ga 1- x Mn x As and out-of-plane easy axes in Ga 0.94 Mn 0.06 As 0.77 P 0.23 17 , so that we can investigate the interaction between orthogonal magnetic configuration in Ga 0.94 Mn 0.06 As 0.77 P 0.23 /Ga 0.94 Mn 0.06 As 0.77 bilayers. During the growth the Mn content was kept constant in both layers at ~0.06.…”

Interlayer exchange coupling in (Ga,Mn)As ferromagnetic semiconductor multilayer systems

“…Magnetotransport measurements were carried out in a closed cycle cryostat using a cold finger whose temperature can be varied from 3 to 300 K. The PHR measurements were performed using a sample holder designed so as to allow a magnetic field to be applied in arbitrary directions in the plane of the sample. The temperature dependence of resistance in the absence of magnetic field shows resistance peaks, which provides an estimation of Curie temperatures for the (Ga,Mn)As layers [17][18][19] . The carrier concentrations of the samples were estimated from Hall measurements at room temperature and are listed in Table 1.…”

Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs

“…Одним из важнейших следствий понижения симметрии в эпитаксиальных слоях GaMnAs является изменение параметров анизотропии его магнитных свойств, таких как магнитная восприимчивость, магнитный момент и ориентация оси легкого намагничивания. К настоящему времени установлено, что характер эффектов, связанных с анизотропией магнитных свойств РМП на основе GaAs, зависит от величины и знака механических напряжений в эпитаксиальном слое, температуры, а также концентрации носителей заряда в его объеме [11][12][13][14]. В то же время природа этих зависимостей не может считаться окончательно установленной.…”