“…无 机 材 料 学 报 第 34 卷 5.6 GPa) [11][12] 条件, 制备的单晶金刚石杂质含量较 多, 且尺寸难以超过 1 cm 3 。 CVD 法包括同质外延和异质外延两种。侧向生 长是在籽晶<100>晶面的不同侧面反复外延的一种 同质外延方法, Mokuno 等 [13] 利用侧向生长法获得 了尺寸为 12.6 mm×13.3 mm×3.7 mm 的单晶金刚石, 但籽晶尺寸和反复生长次数都会限制金刚石的尺 寸。另一种同质外延方法是马赛克拼接法, 利用经 Yamada 等 [14][15] 改进后的马赛克拼接法可得到尺寸 为 40 mm×60 mm 的单晶金刚石晶片, 但接缝处的 生长缺陷会延伸至晶片内部, 影响晶片质量。 目前在铱衬底上异质外延单晶金刚石是解决上 述问题的一种可行方法。因此, 一些研究机构和团队 开始进行大尺寸单晶金刚石异质外延制备的研究, 奥格斯堡大学的 Schreck 等 [16] 在 Ir(100)衬底上利用 异质外延法制备了直径达 92 mm 的单晶金刚石。国 内也有高校对异质外延法制备大尺寸单晶金刚石开 展了初步实验研究 [17][18][19][20] 。异质外延单晶金刚石的技 术关键是衬底的选择与金刚石的形核和生长, 本 文将综述这两个方面近年来的研究进展, 并指出异 质外延金刚石理论和实验中亟待解决的问题。 1 基于铱(Ir)的不同衬底结构 一般来说, 选择合适的金刚石异质外延衬底需 考虑衬底的物理性质、化学性质、晶格失配度、尺 寸等因素 [21] 。为寻找最佳的金刚石异质外延衬底, 研究者们研究了 Si [22][23][24] 、c-BN [25][26] 、Pt [27] 、Ni [28][29] 、 SiC [30][31] 图 1 不同衬底上异质外延生长的金刚石的表面形貌 [32][33][34] Fig. 1 Heteroepitaxial diamond growth on different substrate materials [32][33][34] 变化十分敏感, 当碳原子浓度增加时, Ir 衬底中的 碳原子迅速失稳析出, 该溶解-析出过程导致衬底 表面形貌快速变化, 有利于金刚石晶粒在 Ir 衬底表 面的平移和旋转从而快速达到一致取向 [35] 。 除极少数专利使用纯 Ir 金属片作为衬底 [36] 外, 其他报道中均使用 Ir 薄膜作为金刚石异质外延衬 底。 Ir 薄膜可以利用磁控溅射 [37][38] 、 脉冲激光沉积 [39] 、 电子束蒸镀 [40] 、分子束外延 [41] 等方法制备, 一般外 延于 MgO [42] 、SrTiO 3 [43] 和蓝宝石 [44] 等氧化物单晶 上。由于金刚石和这些金属氧化物之间热膨胀系数 的差异, 在达到金刚石薄膜外延温度(950 ℃以上) 时, 单晶氧化物衬底上沉积的金刚石薄膜中的热应 力 σ xx 达到-4~-8 GPa, 金刚石薄膜在生长至微米级 厚度之后极易脱落 [45]…”