Effect of SiC buffer layer on GaN growth on Si via PA-MBE

Кукушкин, С. А.; Mizerov, A. M.; Осипов, А. В.; Redkov, A. V.; Telyatnik, R S; Timoshnev, S. N.

doi:10.1088/1742-6596/917/3/032038

Cited by 4 publications

(1 citation statement)

References 13 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Существует ряд работ, описывающих рост слоя GaN на темплейтах SiC/Si при использовании различных эпитаксиальных методов [16,17], в том числе с различными политипами слоя SiC [3,17]. В настоящее время не существует работ, посвященных прямому выращиванию GaN методом МПЭ на гибридных подложках (темплейтах) SiC/por-Si/c-Si с пористым буферным слоем.…”

Section: Introductionunclassified

Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si

Seredin¹,

Голощапов²,

Zolotukhin³

et al. 2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

С использованием комплекса структурно-спектроскопических методов диагностики исследовано влияние переходного слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности выращивания слоев GaN технологией молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на темплейтах SiC/por-Si/c-Si. Показано, что введение переходного слоя нанопористого кремния в темплейт, в котором слой 3C-SiC был создан методом замещения атомов, дает ряд неоспоримых преимуществ по сравнению со стандартными подложками кремния. В частности, данный подход позволил снизить практически на 90% уровень напряжений кристаллической решетки в эпитаксиальном слое GaN и уменьшить долю вертикальных дислокаций в слое GaN. Слой GaN был выращен на поверхности слоя SiC, который, в свою очередь, находился на поверхности темплейта SiC/por-Si/c-Si. Впервые было обнаружено, что использование темплейта SiC/por-Si/c-Si приводит к формированию более однородного по качеству слоя GaN без видимых протяженных дефектов. Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, гибридные гетероструктуры, нанопористый кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота.

show abstract