Effect of radiation on the electrical and luminescent properties of conjugated polymer – porous silicon composite

Olenych, I. B.; Aksimentyeva, О. І.; Monastyrskii, Liubomyr S.; Dzendzeliuk, O. S.

doi:10.1080/15421406.2016.1257328

Cited by 9 publications

(4 citation statements)

References 23 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…High‐energy irradiation has been applied to modify the characteristics of electrically conducting polymer films . When a polymer film is exposed to radiation, free radicals are generated in the molecular backbone.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Doped State and Solubility Changes in PEDOT:PSS Thin Films by High‐Energy Gamma‐Ray Irradiation

Jang

Park

Kim

2019

Physica Status Solidi (a)

View full text Add to dashboard Cite

Poly(3,4‐ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulphonate) (PEDOT:PSS) thin films with various electrical‐conductivity ranges are irradiated with gamma rays over a wide range of doses (1–50 kGy). Spectroscopic analyses reveal that the high‐energy irradiation results in changes in the doped state and chemical structure of the thin polymer films. Through the absorption measurement of the doped PEDOT:PSS films, the authors find that the films are relatively insensitive to irradiation and that the neutral state peaks in the de‐doped PEDOT decrease relative to the doped state as the gamma‐ray dose increases. The gamma‐ray irradiation up to 50 kGy results in a decrease in electrical conductivity in the already doped polymer films whereas it induces re‐doping and electrical‐conductivity enhancement in the chemically de‐doped ones. The high‐dose irradiation also induces chemical cross‐linking, resulting in thin films that are robust against solvent dipping.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Doped State and Solubility Changes in PEDOT:PSS Thin Films by High‐Energy Gamma‐Ray Irradiation

Jang

Park

Kim

2019

Physica Status Solidi (a)

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Another approach to creating compact and low-power sensors for ionizing radiation is based on the use of nanostructures and nanocomposites [6][7][8]. Radiation is registered by changes in the electrical, mechanical or optical-luminescent properties of nanostructured materials.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Ionizing Radiation Detection Using the Field Effect Transistor Based on Reduced Graphene Oxide

Olenych,

Horbenko,

Monastyrskii

et al. 2024

J. Nano- Electron. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

In this study, the graphene field-effect transistor (FET) has been created by depositing a film-forming suspension of reduced graphene oxide (RGO) on the silicon substrate with a SiO2 layer and air-drying at room temperature. The possibility of using the obtained FET for ionizing radiation detection was investigated. The electrical characteristics of the radiation sensor based on the RGO film were studied in modes of direct current and alternating current. The dependencies of the drain current and the resistance of the RGO film on the gate voltage of the obtained FET were analyzed. Linear sections on the dependence of the drain current on the gate voltage, the positions of which are determined by the sign of the drain-source voltage, were detected. A decrease in the conductivity of the FET based on the RGO film near the point of charge neutrality due to irradiation from the 226 Ra isotope was established. An increase in resistance and a decrease in capacitance of the investigated FET have been found in the frequency range of 25 Hz -1 MHz caused by the joint action of alpha and beta particles and gamma quanta. A linear dependence of the electrical characteristics of the proposed sensor on the adsorbed dose determined by the irradiation duration was discovered. Possible mechanisms of the ionizing radiation influence on the conductivity of the obtained structure based on the RGO film are considered. The generation of electron-hole pairs in the silicon substrate and the formation of radiation defects in the insulator layer are probably the main factors affecting the electrical characteristics of the RGObased FET under the action of ionizing radiation. The obtained results expand the perspective of using graphene FETs to create a new type of radiation detectors and dosimetric devices.

show abstract

“…Образцы таких устройств на основе силоксано-вого димера кватертиофена продемонстрировали долго-временную стабильность и воспроизводимость электро-физических характеристик в атмосферных лабораторных условиях. Подвижность носителей заряда дырочного ти-па достигала в них 3 · 10 −3 cm 2 /(V · s), что не уступает аналогичным характеристикам ОПТ на основе неупоря-доченных тонкопленочных органических и композитных материалов [7][8][9][10]. В сопряженных органических мате-риалах возможно достичь и на 1−2 порядка больших значений подвижности носителей заряда, однако это в большей степени относится к материалам, термически осажденным в вакууме и демонстрирующим кристал-лическую упорядоченность [11].…”

Section: Introductionunclassified

Атомный Состав И Стабильность Монослоев Ленгмюра-Блоджетт На Основе Силоксанового Димера Кватертиофена На Поверхности Поликристаллического Золота

Комолов¹,

Лазнева²,

Жуков³

et al. 2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Исследован атомный состав монослоев на основе силоксанового димера кватертиофена, нанесенных методом Ленгмюра-Блоджетт на поверхность диоксида кремния, частично покрытую пленкой золота, и стабильность этих монослоев при обработке поверхности путем бомбардировки ионами Ar+. Экспериментальные результаты по химическому составу серии исследованных поверхностей получены методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) путем регистрации XPS-спектров C1s, O1s, S2p и Au4f остовных уровней. Относительная концентрация атомов Au, Si и атомов подложки в составе приготовленной ex situ исследованной поверхности была определена в пределах 10-15%, что говорит о том, что монослои Ленгмюра-Блоджетт на основе силоксанового димера кватертиофена формируют в значительной степени сплошное покрытие. До проведения обработки исследованной поверхности путем бомбардировки ионами Ar+, углерод- и кислород-содержащие поверхностные адсорбаты вносили существенный вклад в результаты XPS измерений. Очистка поверхности ионами Ar+ с энергией 3 keV при значениях электрического тока через образец ~ 1 muA в несколько этапов по 30 s привела к стравливанию поверхностных адсорбатов, а затем и самих пленнок Ленгмюр-Блоджетт пленок силоксанового димера кватертиофена. Исследования по фотоэлектронной спектроскопии выполнены при финансовой поддержке РФФИ (16-33-50252-мол-нр, 15-29-05786). Исследования по нанесению монослоев Ленгмюра-Блоджетт и их характеризации выполнены за счет гранта Российского научного фонда (проект N 15-12-30031). В работе использовали оборудование научного парка СПбГУ "Физические методы исследования поверхности". DOI: 10.21883/FTT.2017.12.45249.132

show abstract

Effect of radiation on the electrical and luminescent properties of conjugated polymer – porous silicon composite

Cited by 9 publications

References 23 publications

Doped State and Solubility Changes in PEDOT:PSS Thin Films by High‐Energy Gamma‐Ray Irradiation

Doped State and Solubility Changes in PEDOT:PSS Thin Films by High‐Energy Gamma‐Ray Irradiation

Ionizing Radiation Detection Using the Field Effect Transistor Based on Reduced Graphene Oxide

Атомный Состав И Стабильность Монослоев Ленгмюра-Блоджетт На Основе Силоксанового Димера Кватертиофена На Поверхности Поликристаллического Золота

Contact Info

Product

Resources

About