Effect of implantation of active metal ions on the elemental and chemical compositions of the CdTe surface

ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ НАНОСТРУКТУР СdMeTe, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ СdTe МЕТОДОМ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ

“…Особенности на кривой R(E p ), т.е. максимумы на кривой −dR/dE р от E р соответствует переходам электронов из максимумов валентной зоны в максимумы зоны проводимости [11].…”

“…Zn 0.4 Te (кривая 2) образцов, снятые при hν=10.8 эВ.Расчеты показывают, что для CdTe Ф≈5.4 эВ, а для Cd 0.6 Zn 0.4 Te -5.6 эВ. Положения пиков в спектре фотоэлектронов, снятые при невысокой энергии фотонов (hν≤15−20 эВ), соответствуют максимумам плотности энергии электронов валентной зоны[11]. Важное научное и практическое значение имеет получение информации о положении максимумов плотности электронных состояний в зоне проводимости.…”

Electron Spectroscopy of CdMeTe Nanostructures Created on CdTe Surface Under Ion Bombardment

“…It was shown that properties of these films mainly depend on a synthesis technique, on their thickness and properties of a near-contact (transitive) layer formed on the boundary film-substrate. In recent years a techniques of lowenergy ion implantation is frequently used for nano-sized structures on the surface and in near-surface region of semiconductor and dielectric films [7][8][9][10]. Particularly, the films of Cd0.5Ba0.5Te were produced by the Ba + ion implantation into CdTe in combination with annealing [10].…”

ВЛИЯНИЕ БОМБАРДИРОВКИ ИОНАМИ Ar+ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК CdS

“…В частности, установлено, что наличие некоторого количества кислорода (до ~10 20 см 3 ) приводит к существенному изменению спектра фотолюминесценции и некоторому уменьшению ширины запрещенной зоны E g пленки CdS. Изучено также влияние бомбардировки ионами Ar + и Ba + на электронные свойства CdTe [9,10]. Данная работа посвящена изучению влияния бомбардировки ионами Ar + на состав, коэффициент преломления света и ширину запрещенной зоны CdS.…”

“…При низких дозах облучения D = 5×10 14 см −2 ионы Ar + попадают на отдельные участки поверхности [10]. Средние размеры этих участков составляют ~10-15 нм, а расстояние между центрами соседних участков ~ 50-60 нм.…”