Effect of growth conditions at MOCVD on thickness uniformity of GaInAsP epilayers obtained on InP

Marichev, A. E.; Levin, Roy; Pushnyii, B V; Gagis, G. S.; Vasil'Ev, I. V.; Scheglov, M. P.; Kazantsev, D. Yu.; Ber, B. Ya.; Popova, T. B.; Marukhina, E. P.

doi:10.1088/1742-6596/1135/1/012076

Cited by 3 publications

(7 citation statements)

References 10 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Согласно работе [6], у полученных методом ГФЭМОС твердых растворов Ga 1−x In x P 1−y As y при y < 0.44 наблюдаются неоднородности в содержании компонентов V группы по площади структуры. Ранее мы обнаружили, что для таких твердых растворов с составами x = 0.77−0.87, y < 0.45 наблюдается так же неоднородность содержания элементов V группы по толщине эпитаксиального слоя [7,8]. Описанные в работе [6] условия выращивания близки к тем, что используются нами и другими исследователями [4], а именно давление ∼ 0.1 бар, в качестве прекурсоров элементов V группы использованы гидриды AsH 3 и PH 3 .…”

Section: Introductionunclassified

“…В работе [6] приводится оценка степени неоднородности по площади эпитаксиальной структуры в зависимости от температуры роста и соотношения V/III. Так, согласно данным работы [6], для V/III = 80 и температуры роста 600 • C (что соответствует условиям получения большинства образцов из наших работ [7,8]) вариация содержания элементов V группы по площади эпитаксиальной структуры y составит ∼ 0.02 атомных долей в подрешетке элементов V группы.…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

Гагис¹,

Левин²,

Маричев³

et al. 2019

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

GaInPAs/InP heterostructures grown by low pressure (0.1 bar, 600 oC) metal-organic chemical vapor phase deposition were investigated. The thicknesses of grown GaInAsP layers were about 1 µm. For the epitaxial layers Ga1-xInxP1-yAsy) with average compositions of x = 0.77 – 0.87 and y = 0.07 – 0.42 the variation of V group elements content y with the epilayer depth were revealed, weher the compositions of V-group elements were changed up to Δy = 0.1 atomic fractions in V group elements sublattice. In most cases, y change occurs in a GaInAsP region up to 200 nm thick adjacent to the InP. In some cases, y changes throughout the whole GaInPAs layer thickness. Fo the epitaxial layers with a satisfactory crystal perfection the less was the mismatch between the substrate and the GaInPAs epitaxial layer, the smaller was the value of Δy. For GaInPAs layers characterized by a low degree of crystal perfection and a high lattice mismatch between GaInAsP and InP layers, the value of Δy was about zero. These data let us suggest that the incorporation of atoms of the V group in the epitaxial layer strongly depends on elastic deformation of the growing monolayer, that is mismatched with the underlying crystal surface.

show abstract

Section: Introductionunclassified

Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

Гагис¹,

Левин²,

Маричев³

et al. 2019

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Они обладают прямой структурой энергетических зон и могут быть изготовлены на подложках InP. Ранее нами сообщалось об исследовании подобных эпитаксиальных слоев Ga 1−x In x As y P 1−y , выращенных на подложках InP(001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений при давлении 0.1 bar и температуре 600 • C [2,3]. Составы исследованных в [2,3] образцов были измерены методом рентгеновского микроанализа на установке "…”

unclassified

“…Тем не менее глубинное профилирование состава структур, проведенное с использованием вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) на ВИМС-микрозонде CAMECA IMS-7f, выявило существенное изменение содержания элементов пятой группы y практически на протяженности всего слоя GaInAsP, толщины слоев GaInAsP составляли 0.6−0.9 µm. О возможных причинах этого явления мы сообщали в [2,3], где также приводили основные результаты исследований полученных образцов методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС. Целью настоящей работы является анализ фотолюминесценции (ФЛ) образцов, полученных в [2,3], с учетом неоднородности их состава по толщине.…”

unclassified

“…О возможных причинах этого явления мы сообщали в [2,3], где также приводили основные результаты исследований полученных образцов методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС. Целью настоящей работы является анализ фотолюминесценции (ФЛ) образцов, полученных в [2,3], с учетом неоднородности их состава по толщине. Известно, что люминесцентные характеристики полупроводниковых структур связаны со степенью их кристаллического совершенства, которую мы оценивали по совокупности данных исследований ВИМС и рентгеновской дифрактометрии, а также по результатам исследований самой ФЛ.…”

unclassified

See 1 more Smart Citation

Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине

Gagis¹,

Vlasov²,

Levin³

et al. 2019

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

The photoluminescent properties at 77 and 300 K are investigated for Ga1 xInxAsyP1 y epilayers with V-group elements content gradient Δy up to 0.08 across whole thickness (about 1 µm). Ga1 xInxAsyP1 y layers with high Δy values have widened photoluminescence spectra. For GaInAsP layers of low crystaline perfection, photoluminescence was either absent or manifested itself as it is typical for transitions involving impurity levels.

show abstract

Role of threading dislocations on the growth of HgCdTe epilayers investigated using monochromatic X-ray Bragg diffraction imaging

Yildirim

Ballet

Santailler

et al. 2021

J Synchrotron Radiat

View full text Add to dashboard Cite

High-quality Hg1–x Cd x Te (MCT) single crystals are essential for two-dimensional infrared detector arrays. Crystal quality plays an important role on the performance of these devices. Here, the dislocations present at the interface of CdZnTe (CZT) substrates and liquid-phase epitaxy grown MCT epilayers are investigated using X-ray Bragg diffraction imaging (XBDI). The diffraction contributions coming from the threading dislocations (TDs) of the CZT substrate and the MCT epilayers are separated using weak-beam conditions in projection topographs. The results clearly suggest that the lattice parameter of the growing MCT epilayer is, at the growth inception, very close to that of the CZT substrate and gradually departs from the substrate's lattice parameter as the growth advances. Moreover, the relative growth velocity of the MCT epilayer around the TDs is found to be faster by a factor of two to four compared with the matrix. In addition, a fast alternative method to the conventional characterization methods for probing crystals with low dislocation density such as atomic force microscopy and optical interferometry is introduced. A 1.5 mm × 1.5 mm area map of the epilayer defects with sub-micrometre spatial resolution is generated, using section XBDI, by blocking the diffraction contribution of the substrate and scanning the sample spatially.

show abstract

Effect of growth conditions at MOCVD on thickness uniformity of GaInAsP epilayers obtained on InP

Cited by 3 publications

References 10 publications

Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине

Role of threading dislocations on the growth of HgCdTe epilayers investigated using monochromatic X-ray Bragg diffraction imaging

Contact Info

Product

Resources

About