Effect of film thickness on the structural, optical and electrical properties of SnO2: F thin films prepared by spray ultrasonic for solar cells applications

Influence of film thickness on structural, optical, and electrical properties of spray deposited antimony doped SnO2 thin films

“…It is observed that the band gap is decreased from 3.86 eV for the 350 nm thickness to 3.74 eV for the 1065 nm thickness. In general, the antimony doped SnO 2 thin films showed a wider bandgap energy as compared with the standard band gap energy of E g = 3.57 eV reported for single crystal SnO 2 [55] and is comparable to the value of E g = 4.3 eV reported for antimony doped SnO 2 films [15].…”

“…The optical transparency and electrical conductivity in TCOs is achieved by increasing the number of free charge carriers through intrinsic defects, such as oxygen vacancies, or through extrinsic dopants, typically higher valency metal cations [13][14]. In literature various dopants are used to improve the electrical properties of tin oxide (SnO 2 ) [15][16]. Among these dopants, Sb [14] and F [8] with n-type conductivity of SnO 2 thin films have shown to be the most achieved commercial use due to its low cost and simplicity.…”

“…Benhaoua et.al. [15] studied the effect of film thickness on the structural, optical and electrical properties of 6 wt.% fluorine doped SnO 2 thin films prepared by ultrasonic spray for solar cells applications. The band gap for undoped and …”

Injeção de cargas no polímero P3HT em condições ambientais como um controle de processos degradativos em materiais verdes

“…Os TCOs tem sido muitos empregados em dispositivos optoeletrônicos em função das diversas vantagens por eles oferecidas, tais como: baixo custo, condutividade elétrica [74], estabilidade térmica, química e mecânica, baixa absorção de luz [23], [75] [76]. Sua elevada condutividade elétrica e ao mesmo tempo alta transmitância óptica na faixa do visível, os tornam altamente aplicáveis na fabricação de celulas solares, sensores [23], display de cristal líquido, OLEDs [76].…”

“…De maneira a se obter filmes transparentes de baixa resistência, o SnO 2 pode ser dopado com diferentes elementos como antimónio (Sb), arsénio (As), fósforo (P), Indio (In), Molibidênio (Mo), Flúor (F) e Cloro (Cl) [23]. Os filmes finos de dióxido de estanho dopado com flúor, por serem termicamente mais estáveis, muitas vezes são utilizado como uma alternativa ao ITO (Óxido de Estanho dopado com Índio), além disso possuem elevada capacidade de aderir fortemente ao vidro, baixo custo e simplicidade [74], resistente à abrasão física e são facilmente volatilizados, permitindo elevada mobilidade e filmes menos resistivos. Trata-se de um semicondutor degenerado tipo-n, resultante da dopagem do óxido de estanho pela substituição do O 2 por flúor que age como doador de elétron [75].…”