Dislocations and plasticity in semiconductors. II. The relation between dislocation dynamics and plastic deformation

Abstract

Overview article Résumé. 2014 Dans cette seconde partie on examine le comportement mécanique des semi-conducteurs élémentaires (ESC) et composés III-V (CSC). La forte influence de la température sur la courbe contraintedéformation est rappelée et l'accent est mis sur le lien entre la limite élastique inférieure et la mobilité des dislocations aux températures moyennes. Dans Si, une prédéformation bien choisie conduit à une situation très favorable où l'on peut mesurer à la fois la densité des dislocations mobiles et les contraintes locales et où les paramètres d'activation à la limite élastique inférieure sont ceux observés pour le glissement des dislocations. Dans les CSC, la très grande différence de mobilité des dislocations 03B1 et 03B2 peut conduire à des effets de polarité et les paramètres d'activation obtenus sont assez différents de ceux déduits des mesures de vitesse. En général, 1. Général features of the stress-strain curve.

Mechanical Properties of Silicon Microstructures

“…It should be noted, however, that beyond this temperature range there is a certain deviation from the Arrhenian behavior. At higher temperatures an increase of the activation energy is observed, which is explained either by the change of the self-diffusion mechanism [79,137,138] or by the effect of dislocationÀdislocation interactions [139]. At lower temperatures both activation energy and yield stress become lower than predicted by Eq.…”

Mechanical and Thermal Properties

“…At higher strain the τ − γ curves exhibit the classical three successive stages of hardening of FCC materials that is observed in elemental semiconductors [107], as well as CdTe [108]. A voltage, applied during the deformation, affects the plasticity of p-type Hg 0.8 Cd 0.2 Te.…”

Strength Enhancement of Compensated Strained InP/AlP Superlattice

“…This means that large elastic energy is stored in such a superlattice [1]. Although the mechanical behaviour of bulk III-V semiconducting materials has been extensively investigated as reviewed by Rabier and George [2], much less is known on the behaviour of superlattices. For such investigations, the achievement of nanoindentation techniques has proved to be very useful, as sub-micron tests adapted to superlattices can be performed [3].…”