The stability of the perfect screw dislocation in silicon has been investigated using both classical potentials and first principles calculations. Although a recent study stated that the stable screw was located both in the 'shuffle' and 'glide' sets of {111} planes (Koizumi et al, 2000, Phil. Mag. A, 80, 609), it is shown that this result depends on the classical potential used, and that the most stable configuration belongs to the 'shuffle' set only, in the centre of one ( 101) hexagon. We also investigated the stability of an sp 2 hybridization in the core of the dislocation, obtained for one metastable configuration in the 'glide' set. The core structures are characterized in several ways, with a description of the three dimensional structure, differential displacement maps, and derivatives of the dis-registry.
Overview articleRésumé. 2014 Les structures de c0153ur des dislocations dans les semi-conducteurs élémentaires (ESC) et les composés semi-conducteurs (CSC) III-V sont discutées en relation avec les analogies qu'elles présentent avec celles des métaux cfc. On met l'accent sur les propriétés spécifiques des dislocations dans les SC aux températures plus basses que 0,6 Tf où le glissement des dislocations est régi par un mécanisme de Peierls qui témoigne de la liaison covalente entre atomes. On fait une revue de la dynamique des dislocations en rapport avec des effets métallurgiques classiques ou des effets spécifiques aux SC associés aux niveaux électroniques introduits par les dislocations dans la bande interdite. Les analogies et les différences entre les structures et les propriétés des dislocations dans les ESC et CSC sont aussi discutées.Abstract. 2014 Dislocation core structures in elemental semiconductors (ESC) and III-V compound semiconductors (CSC) with zinc blende structure are discussed in relation to their analogy with fcc metals. Emphasis is also
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