Dislocation assessment of CdZnTe by chemical etching on both {111}B and {211}B faces

Study of dislocations in HgCdTe epilayers at (111)B and (110) surfaces using modified defect etchant

“…Therefore, the etch pits are always surrounded by the {1 1 1} planes only as will be shown later in this section, in contrast to the theory proposed by Jianrong et al [20]. Eight {1 1 1} planes of FCC crystal constitute two interpenetrating tetrahedrons, as shown in Fig.…”

Selective Etching of ZnхCd1-хTe Single Crystals

“…4. Форма та густина ямок травлення на поверхні Zn x Cd 1-x Te після обробки в різних селективних травниках [14]. На рис.…”

“…4 наведено морфологію поверхні кристалів Zn x Cd 1-x Te з ямками травлення, які формуються після обробки в різних селективних травниках. У роботі [14] встановлено, що густина дислокацій, визначена травленням в травнику EAg-1, в 5 -50 разів менша, ніж після обробки в травниках EAg-2, Еверсона та Накагави, що очевидно, свідчить про утворення дислокацій, що відрізняються від α-та β-дислокацій.…”

Interface Lattice Engineering of Si Composite Wafers for Large-Format HgCdTe Infrared Focal Plane Arrays

“…As shown in section 2.6.4, by using scanning electron microscope (SEM) it is possible to see different classes of etch pits formed by a dislocation decoration etch. It is postulated that the shape of the etch pits can be directly related to the type of dislocation that it formed around [15][16][17]. This method can be highly effective and useful in developing a method of determining and counting dislocation populations with in HgCdTe layers.…”