The dielectric constant ( K ) , loss (tan a), and conductivity (a) of PbI, single crystals, after quenching and X-ray irradiation are measured in the frequency range 102 to lo7 Hz and in the temperature region 30 to 300 "C. X-ray irradiation of as-grown crystals increases only the low frequency K and tan 6. Quenching (from 370 "C) and X-ray irradiation of these crystals produces the same effect; the changes in K and tan 6 a t room temperature (= 30 "C) are largest in the latter samples. K and tan 6 of the samples subjected to different treatments (like quenching and X-ray irradiation) increase with temperature, the rate of increase is smaller a t higher frequencies; the largest rate of increase is observed in quenched and X-ray irradiated samples. The plot,s log u versus 1/T for these samples give activation energies for conduction in the temperature region 200 to 280 "C as 0.44, 0.41, 0.39, and 0.35 eV for as-grown, quenched, X-ray irradiated and quenched, and X-ray irradiated PbI, crystals, respectively. An attempt is made to understand these results.Es werden die Dielektrizitltskonstante (K), der Verlustfaktor (tg a), und die Leitfahigkeit (a) von Pb1,-Einkristallen nach Abschrecken und Rontgenbestrahlung im Frequenzbereich lo2 bis lo7 Hz und bei Temperaturen zwischen 30 bis 300 "C gemessen. Rontgenbestrahlung der urspriinglich gewachsenen Kristalle ergibt nur einen Anstieg der Niederfrequenz-Dielektrizitatskonstante (K) und des Verlustfaktors tg 6. Abschreckn (von 370 "C) und Rontgenbestrahlung dieser Kristalle ruft den gleichen Effekt hervor ; die Anderungen in K und tg 6 sind bei Zimmertemperatur (= 30 "C) in den letzteren Kristallen am grolten. K und tg 6 der unterschiedlichen Behandlungen ( Abschrecken und Rontgenbestrahlung) ausgesetzten Proben nehmen mit der Temperatur zu, wobei die Anstiegsgeschwindigkeit bei hoheren Frequenzen kleiner ist ; die grolte Anstiegsgeschwindigkeit wird in abgeschreckten und rontgenbestrahlten Proben beobachtet. Die log a-l/T-Kurven dieser Proben ergeben Werte fur die Aktivierungsenergie der Leitfahigkeit im Temperaturbereich 200 bis 280 "C von 0,44; 0,41; 0,39 und 0,35 eV fur ursprungliche, abgeschreckte, rontgenbestrahlte und abgeschreckte bzw. rontgenbestrahlte Pb1,-Kristalle. Es wird der Versuch gemacht, diese Ergebnisse zu verstehen.