Designing a scanning probe microscope for in situ study of carbon materials growth processes during chemical vapor deposition

Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия

“…Завод ПРОТОН", Зеленоград, www.microscopy.su). До измерений образцы закреплялись на специальной ламели так, чтобы их можно было позиционировать при повторных измерениях (после облучения) с погрешностью не хуже 10−20 µm; таким образом, зонд микроскопа попадал в ту же область, что и при измерениях до облучения [8]. Это позволяло надежно констатировать наличие нарушений на поверхности образцов.…”

Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов

“…Для исследований микрорельефа поверхности GaAsструктуры до и после воздействия быстрых нейтронов использовался сканирующий зондовый микроскоп " СММ-2000" (изготовитель -АО " Завод ПРОТОН", г. Зеленоград, www.microscopy.su). Применение специальной методики позиционирования образцов [6] позво-XXV Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" ляло констатировать наличие связи нарушений, появившихся на поверхности структур, с воздействием нейтронного излучения, поскольку исследования рельефа поверхности проводились в одной и той же области до и после облучения [7]. Это достигалось закреплением образцов на специальной ламели, позволяющей многократно размещать образцы в фиксирующем устройстве микроскопа одинаковым образом [8].…”