2004 IEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Systems. Digest of Papers
DOI: 10.1109/rfic.2004.1320538
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Design considerations for CMOS low-noise amplifiers

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“…전류 재사용단의 공진을 위한 인 덕터의 크기를 줄이기 위하여 병렬 LC 회로를 사용 하였다 [4] . 있다 [1], [5] . 다음 절에 증폭기의 트랜스 컨덕턴스를 증 가시키는 방법에 대하여 설명되어 있다.…”
Section: ⅱ 저전력 저잡음 증폭기 설계unclassified
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“…전류 재사용단의 공진을 위한 인 덕터의 크기를 줄이기 위하여 병렬 LC 회로를 사용 하였다 [4] . 있다 [1], [5] . 다음 절에 증폭기의 트랜스 컨덕턴스를 증 가시키는 방법에 대하여 설명되어 있다.…”
Section: ⅱ 저전력 저잡음 증폭기 설계unclassified
“…다음 절에 증폭기의 트랜스 컨덕턴스를 증 가시키는 방법에 대하여 설명되어 있다. [5] . 유효 트랜스 컨덕턴스의 증가로 인 해 공통 게이트 저잡음 증폭기는 이득과 잡음 지수 의 개선이 이루어진다.…”
Section: ⅱ 저전력 저잡음 증폭기 설계unclassified
“…The desired output in equation (1) The additional gain-boosting [15] stage using M2 and M3 is employed for higher conversion gain using extra voltage headroom. The conventional detector uses a single NMOS transistor [16].…”
Section: Ghz Cmos Ook Demodulatormentioning
confidence: 99%
“…The fundamental difference of the CG LNA is that the matching network is a parallel resonator, and therefore, its Q-value is lower than that of an IDCS stage [21]. For the CG stage shown in Figure 1(b), the gate-source voltage of M 1 is equal to input voltage signal, i.e.…”
Section: Input Network Q-valuementioning
confidence: 99%