Deposition of micrometer-sized tungsten patterns by laser transfer technique

Kántor, Z.; Tóth, Z.; Szörényi, T.; Tóth, A.L.

doi:10.1063/1.111255

Cited by 75 publications

(31 citation statements)

References 14 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…При моделировании бы- ло принято допущение, что при микросекундной дли-тельности импульса и температурах нагрева ниже значений температур фазовых превращений тепло-емкость, теплопроводность, коэффициенты отражения и поглощения ITO и кремния можно считать по-стоянными. Необходимые теплофизические характери-стики подложки (c v = 713Дж/кг · K, k = 159 Вт/м · K, α (650 нм) = 4.8 · 10 5 м −1 ) и пленки (c v = 340 Дж/кг · K, k = 10 Вт/м · K) были заимствованы из литературных источников [23][24][25][26][27][28][29]. Плотности Si (2 кг/м 3 ) и ITO (7.1 кг/м 3 ) были получены на основании известных масс и объемов материалов.…”

Section: результаты и обсужденияunclassified

“…, T -разность между начальной и конечной температурами при нагревании, G = 75 ГПа -модуль сдвига пленки, ν = 0.35 -коэффициент Пуас-сона ITO [23][24][25][26][27][28][29]. Так, для пленки толщиной 450 нм рассчитанное значение σ составляет 0.87 · 10 9 Н/м 2 .…”

Section: результаты и обсужденияunclassified

See 1 more Smart Citation

Отделение Тонких Пленок ITO От Кремниевой Подложки С Помощью Микросекундного Лазерного Облучения

Кириенко¹,

Березина²

2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Представлено исследование метода отделения тонких пленок ITO (indium-tin oxide) от кремниевой подложки с помощью импульсного лазерного облучения. Метод предоставляет возможность отделения пленок с толщинами от 360 нм без их разрушения. Процесс отделения заключается в последовательной обработке поверхности одиночными лазерными импульсами микросекундной длительности на длине волны 650 нм. Пленки, полученные методом высокочастотного магнетронного распыления, после отделения от кремниевой подложки обладают пропусканием более 65% в видимом диапазоне и поверхностным сопротивлением ∼ 1.2 кОм/ . Проведена оценка термонапряжений, возникающих в тонких пленках ITO и приводящих к ее отслаиванию. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44568.8444 ВведениеТонкие пленки оксида индия с примесью олова (indium-tin oxide, ITO) находят применение при изго-товлении светоизлучающих полупроводниковых элемен-тов, оптоэлектронных приборов, жидкокристаллических дисплеев и т. п. Широкое распространение покрытия на основе ITO получили благодаря прозрачности в види-мой области спектра и низкому удельному сопротив-лению [1,2]. Известно множество способов получения прозрачных проводящих покрытий на основе оксида индия. В основном для синтеза высококачественных пленок ITO используются такие высокотемпературные методы, как газофазное осаждение, атомное осаждение, осаждение из жидкой дисперсионной среды и др. [3][4][5]. Эти методы в силу требования высокой температуры подложки при осаждении или последующем отжиге накладывают ограничение на использование подложек, не выдерживающих высокотемпературного нагрева. Та-ким образом, сужается область применения пленок ITO в устройствах гибкой оптоэлектроники, солнечных элементах, органической фотоэлектронике и др. [6,7]. В связи с этим в последнее время стало актуальным получение прозрачных проводящих покрытий при пони-женных температурах синтеза на термочувствительных подложках. Однако следует отметить, что низкотемпе-ратурные методы для получения высококачественных пленок ITO выдвигают более жесткие требования к качеству материалов и процессу синтеза [8,9].Известны методы, при которых прозрачные проводя-щие пленки формируются высокотемпературными мето-дами на ростовых подложках, а затем производится отде-ление и перенос пленок на целевые подложки-носители. К таким методам относятся химическое (chemical liftoff) [10,11] и лазерное отделение (laser lift-off) [12][13][14][15][16]. Метод химического отделения позволяет отслаивать пленки ITO без механического повреждения, но требует создания промежуточного слоя на ростовой подложке и дополнительного отжига после отделения, что влияет на качество пленок ITO. Данный метод чаще всего используется для структурирования прозрачных прово-дящих покрытий и отделения пленок ITO с бывших в употреблении устройств для вторичного использования. Метод лазерного отделения, первоначально разработан-ный для отслаивания эпитаксиальных пленок GaN, а затем пленок ITO и других от сапфировых подложек, основан на воздействии ультрафиолетового лазерного излучения на пленку со стороны подложк...

show abstract

Section: результаты и обсужденияunclassified

Отделение Тонких Пленок ITO От Кремниевой Подложки С Помощью Микросекундного Лазерного Облучения

Кириенко¹,

Березина²

2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…under atmospheric conditions, without the need for a vacuum (Bohandy et al, 1988). The LIFT technique gained acceptance in a short time and was used successfully for a wide variety of single element materials, mainly metals such as copper (Bohandy et al, 1988), vanadium (Mogyorósi et al, 1989), gold (Baseman et al, 1990;Bohandy et al, 1988), aluminum (Schultze & Wagner, 1991), tungsten (Kántor et al, 1994;Tóth et al, 1993), chromium (Zergioti et al, 1998a), nickel (Sano et al, 2002) and Ge/Se thin film structures (Tóth & Szörényi, 1991). Reports of LIFT for oxide compounds such as Al 2 O 3 (Greer & Parker, 1988), In 2 O 3 (Zergioti et al, 1998b), V 2 O 5 (Chakraborty et al, 2007) and YBa 2 Cu 3 O 7 high temperature superconductors (Fogarassy et al, 1989) are worth mentioning, although the quality of the transferred ceramics was not as good as those deposited by traditional film growth techniques.…”

Section: Understanding the Laser Transfer Processmentioning

confidence: 99%

Rapid Prototyping of Embedded Microelectronics by Laser Direct-Write

Piqué¹

2011

Rapid Prototyping Technology - Principles and Functional Requirements

View full text Add to dashboard Cite

“…The bibliography includes 132 references. At first glance, laser chemical vapour deposition (LCVD), 2 pulsed laser deposition (PLD), 3 laser-induced film transfer technique (LIFT) 4 and laser pyrolytic destruction of solids (LPDS) 5 are alternatives to LCLD. Nevertheless, the LCLD technique has obvious advantages over the above-listed methods, such as Ð it is cost-effective because expensive equipment is not required;…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%