Degradation of metal/oxide/semiconductor structures by Fowler-Nordheim tunnelling injection

Balland, B.; Plossu, C.; Bardy, Serge

doi:10.1016/0040-6090(87)90153-2

Cited by 28 publications

(16 citation statements)

References 6 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Следует отметить, что рассмотренный в данной статье метод можно считать неразрушающим, но при этом необходимо учитывать, что в случае участия в проводимости механизма Фаулера-Нордгейма возможно накопление заряда и образование новых центров в диэлектрике, а также образование поверхностных состояний на границе диэлектрика и полупроводника [30].…”

Section: обсуждение полученных результатовunclassified

Эффект Пула--Френкеля И Возможность Его Применения Для Прогнозирования Радиационного Накопления Заряда В Термическом Диоксиде Кремния

Ширяев¹,

Воротынцев²,

Шоболов³

2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Предложено применить эффект Пула-Френкеля для прогнозирования радиационно-индуцированного накопления заряда в термическом диоксиде кремния. Были рассмотрены различные механизмы электропроводности термического диоксида кремния, определены условия возникновения в нем эффекта Пула-Френкеля и рассчитаны характеристики донорных центров, участвующих в электропроводности Пула-Френкеля. Определен уровень донорных центров с энергией 2.34 эВ ниже дна зоны проводимости и получена концентрация ионизированных донорных центров, равная 1.0 • 10 9 см −3 при температуре 400 K и напряженности поля 10 МВ/см. Сделано заключение, что эффект Пула-Френкеля можно применить не для прогнозирования абсолютного значения радиационно-индуцированного заряда, а для сравнения образцов по способности его накапливать.

show abstract

Section: обсуждение полученных результатовunclassified

Эффект Пула--Френкеля И Возможность Его Применения Для Прогнозирования Радиационного Накопления Заряда В Термическом Диоксиде Кремния

Ширяев¹,

Воротынцев²,

Шоболов³

2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The most frequently studied structures are those exhibiting an oxide thickness greater than 10 nm [1][2][3][4][5][6][7][8]. The MOS structures with an ultra-thin oxide thickness (<10 nm) are seldom studied [9][10][11][12][13][14][15]. These types of studies are particularly important as they cover MOS structures used in miniaturized devices [16,17] (transistor MOS, EEPROM memories, etc).…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Ageing of metal/ultra-thin oxide/semiconductor structures under Fowler–Nordheim current injection

2003

View full text Add to dashboard Cite

In this paper, results of the ageing of metal/ultra-thin oxide/semiconductor structures under Fowler–Nordheim constant current injections are presented. The oxide (silicon dioxide, SiO2) thickness layer of these structures varies from 3 to 12.5 nm for a p-type semiconductor. It is shown that ageing induces trapped charges in the oxide layer (positive and negative near the cathode and positive near the anode) and new interface states at the oxide/semiconductor interface. The positive charge created near the oxide/semiconductor interface, during current injection from the metal (accumulation regime, Vg<0), cannot be observed on current–voltage (I(Vg)) characteristics in the inversion regime (Vg>0). It is shown that these charges can trap electrons injected from the semiconductor during acquisition of the I(Vg) characteristics (Vg>0). This induces a shift in the I(Vg) characteristics as opposed to that what is obtained from capacity–voltage (C(Vg)) characteristics. So, the characteristics (density and centroid) of charges trapped in the oxide layer cannot be obtained, as in the case of thick layers (thickness greater than 20 nm), from the shift obtained from the I(Vg) characteristics in accumulation and inversion regimes. Also, it has been shown that the capture of electrons by the positive charge at the oxide/semiconductor interface promotes the creation of interface states.

show abstract

“…Non-uniformité de la distribution spatiale des états de surface dans le canal des transistors CMOS B. Balland (1), C. Plossu (1), C. Choquet (1), V. Lubowiecki (2) Résumé. 2014 Nous avons montré que les densités moyennes d'états d'interface obtenues par la technique de pompage de charge peuvent conduire à une surestimation du nombre réel de ces défauts en milieu de canal des transistors MOS, lorsque l'on suppose qu'ils sont uniformément distribués sur toute l'étendue de l'interface Si-SiO2.…”

unclassified

“…Appl. 23 (1988) [1][2] et/ou par l'injection de porteurs chauds dans l'oxyde de grille joue un rôle primordial dans les phénomènes d'instabilités [3][4]. Pour étudier les mécanismes physiques de vieillissement, à l'origine de l'évolution des caractéristiques électriques des composants en technologie V.L.S.I., il est indispensable de disposer d'une technique de mesure de la densité des états de surface qui soit très performante (grandes sensibilité, précision et fiabilité).…”

unclassified

Non-uniformité de la distribution spatiale des états de surface dans le canal des transistors CMOS

Balland

Plossu

Choquet

et al. 1988

Rev. Phys. Appl. (Paris)

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Degradation of metal/oxide/semiconductor structures by Fowler-Nordheim tunnelling injection

Cited by 28 publications

References 6 publications

Эффект Пула--Френкеля И Возможность Его Применения Для Прогнозирования Радиационного Накопления Заряда В Термическом Диоксиде Кремния

Эффект Пула--Френкеля И Возможность Его Применения Для Прогнозирования Радиационного Накопления Заряда В Термическом Диоксиде Кремния

Ageing of metal/ultra-thin oxide/semiconductor structures under Fowler–Nordheim current injection

Non-uniformité de la distribution spatiale des états de surface dans le canal des transistors CMOS

Contact Info

Product

Resources

About