Предложено применить эффект Пула-Френкеля для прогнозирования радиационно-индуцированного накопления заряда в термическом диоксиде кремния. Были рассмотрены различные механизмы электропроводности термического диоксида кремния, определены условия возникновения в нем эффекта Пула-Френкеля и рассчитаны характеристики донорных центров, участвующих в электропроводности Пула-Френкеля. Определен уровень донорных центров с энергией 2.34 эВ ниже дна зоны проводимости и получена концентрация ионизированных донорных центров, равная 1.0 • 10 9 см −3 при температуре 400 K и напряженности поля 10 МВ/см. Сделано заключение, что эффект Пула-Френкеля можно применить не для прогнозирования абсолютного значения радиационно-индуцированного заряда, а для сравнения образцов по способности его накапливать.
The opportunity to predict trapped charge value in buried silicon oxide of silicon-on-insulator structures using Poole−Frenkel effect was investigated. Using measuring and modeling of current–voltage characteristics of buried silicon oxide at different temperatures conditions for Poole−Frenkel effect in this layer were determined. Processes taking place in buried oxide during measurement of current–voltage characteristics and annealing were considered. Conditions of thermal field treatment of buried oxide for radiation exposure imitation using injection were determined. Dependence of accumulated positive charge value in buried silicon oxide as a result of injection on Poole−Frenkel current value was estimated. The opportunity to use Poole−Frenkel effect for buried oxide defectiveness evaluation during manufacturing of microcircuits with enhanced dose radiation hardness is shown.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.