CRYSTAL STRUCTURE AND MAGNETIC PROPERTIES OF SOLID SOLUTIONS IN THE Tm-Ge-Si SYSTEM

Abstract

Àíîòàö³ÿ. Ñïëàâè òâåðäèõ ðîç÷èí³â ó ñèñòåì³ Tm-Ge-Si äîñë³äaeåíî ìåòîäàìè ðåíòãåí³âñü-êî¿ äèôðàêö³¿ ³ ìàãí³òíî¿ ñïðèéíÿòëèâîñò³ (ÌÑ). Âñòàíîâëåíî, ùî êðèñòàë³÷íà ñòðóêòóðà äàíèõ ñïëàâ³â íàëåaeèòü äî ãåêñàãîíàëüíîãî ñòðóêòóðíîãî òèïó AlB 2 , ó ÿê³é äëÿ àòîì³â ìàëîãî ðîçì³ðó (Si, Ge) õàðàêòåðíà òðèãîíàëüíî-ïðèçìàòè÷íà êîîðäèíàö³ÿ. Ðåçóëüòàòè âèì³ðþâàíü ÌÑ â çàëåaeíîñò³ â³ä òåìïåðàòóðè (80-800 Ê) òà íàïðóaeåíîñò³ ìàãí³òíîãî ïîëÿ (0,5-4,0 êÅ) ñâ³ä÷àòü ïðî íàÿâí³ñòü ïàðàìàãí³òíî¿ ñêëàäîâî¿, ÿêà äîáðå îïèñóºòüñÿ çàêîíîì Êþð³-Âåéññà ³ íå çàëåaeèòü â³ä íàïðóaeåíîñò³ ìàãí³òíîãî ïîëÿ. Òàêîae âèçíà÷åí³ ìàãí³òí³ õàðàêòåðèñòèêè äîñë³äaeóâàíèõ ìàòåð³àë³â (ïàðàìåòð Âåéññà, åôåêòèâíèé ìàãí³òíèé ìîìåíò íà ôîðìóëüíó îäèíèöþ ³ êîíñòàíòà Êþð³). Abstract. Solid solutions in the Tm-Ge-Si system have been studied by X-ray diffraction data and magnetic susceptibility (MS) techniques. It was found that the crystal structure of the alloys corre-

Isothermal section of the Dy‒Ge‒Si system at 600 C

“…Серед потрійних систем R-Ge-Si ізотермічні перерізи діаграм фазових рівноваг у повному концентраційному інтервалі побудовано для систем Y-Ge-Si [1], La-Ge-Si [2,3], Pr-Ge-Si [4], Gd-Ge-Si [4][5][6] при 600 °C. Для систем R-Ge-Si, де R = Ce, Sm, Er і Tm, фазові рівноваги при 600 °C досліджено в обмеженому концентраційному інтервалі [7][8][9][10][11][12]. Між ізоструктурними силіцидами і германідами утворюються неперервні ряди твердих розчинів (НРТР).…”

“…Сполука зі структурою типу α-GdSi 2 має область гомогенності ErGe 1,00-0,73 Si 0,67-0,94 . У системі Tm-Ge-Si [11,12] утворюється твердий розчин заміщення (структурний тип AlB 2 ) атомів Si на атоми Ge в сполуці TmSi 1,67 , який простягається вздовж ізоконцентрати ~0,375 ат. частки Tm до вмісту Ge ~0,28 ат.…”

A ternary compound with α-ThSi2-type structure in the system Dy–Ge–Si

“…The compound crystallizing with the structure type α-GdSi 2 has a certain homogeneity region, ErGe 1.00-0.73 Si 0.67-0.94 . In the system Tm-Ge-Si a single-phase region exists in the Ge-rich region of the isoconcentrate ~33.3 at.% Tm [11,12], a solid solution of Si in the compound TmGe 1.83 .…”