Control of melt-crystal interface shape during sapphire crystal growth by heat exchanger method

Effect of Template–Mediated Alumina Nanoparticle Morphology on Sapphire Wafer Production via Heat Exchange Method

“…As the most commonly used LED substrate material, the sapphire crystal has been rapidly developed in recent years because of its excellent optical properties, mechanical properties, and other properties. There are many methods to produce sapphire crystals in industry, such as the Czochralski (Cz), Kyropoulos (Ky), edge-defined film-fed growth (EFG) [1], chemical vapor deposition (CVD) [2,3] and heat exchanger methods (HEM) [4]. The heat exchange method is a crystal growth technique for large-size sapphires.…”

“…Therefore, hot spots always appear in this process The maximum convexity decreases significantly when the cooling zone radius (RC) increases. Wu et al [1] conducted a numerical study on the shape of the melt-crystal interface during the early solidification process when the crystal diameter increased. They found that the obtuse contact angle was caused by the difference in thermal resistance between sapphire crystals and the melt, as well as the insufficient cooling effect at the bottom of the crucible, and proposed solutions.…”

Исследование Объемного Радиационного Переноса Тепла В Кристалле И Расплаве С Помощью Численного Моделирования При Выращивании Кристаллов Сапфира Методом Степанова

“…Этот метод позволяет учитывать взаимодействие излучения со средой, корректно описывать диффузные и зеркальные отражения и преломление лучей на границах. За последние годы в разных вариантах моделировались также тепловые зоны для выращивания кристаллов сапфира другими методами [6][7][8]. В этих работах изучалось влияние различных технологических факторов на процесс выращивания сапфира.…”