Contacting technology for thin film CdTe photovoltaic modules

Ghosh, Bablu K.; Miles, Robert; Carter, M. J.

doi:10.1049/el:19960608

Cited by 6 publications

(3 citation statements)

References 1 publication

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…They also reported that, following 6 months of storage at room temperature and open-circuit conditions, there was no appreciable variation in cell parameters, and only a slight increase in V oc and Ͻ1% decrease in fill factor ͑ff͒ was observed following accelerated stress ͑10 sun illumination at 60°C͒. Miles et al have recently reported the formation of low resistance Ni back contacts to CdTe/CdS solar cells 11,13,14 by electroless deposition, employing hypophosphite ͑H 2 PO 2 Ϫ , abbreviated to HP͒ as the active reductant. The harsh anneal treatment required ͑250°C in air for 90 min͒ suggests that cells contacted with this material are stable under some stress conditions.…”

mentioning

confidence: 99%

Formation and Characterization of Electroless-Deposited NiTe[sub 2] Back Contacts to CdTe /CdS Thin-Film Solar Cells

Dobson

Rotlevi

Rose

et al. 2002

J. Electrochem. Soc.

View full text Add to dashboard Cite

The preparation and characterization of NiTe 2 back contacts to CdTe/CdS cells are described. NiTe 2 is formed on p-CdTe by electroless deposition at low reductant concentrations, producing devices that are superior ͑conversion efficiencies often exceeding 10%͒ to those contacted with electroless Ni. X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction showed the product to be nickel͑II͒ ditelluride (Ni 2ϩ Te 2 2Ϫ), produced, in the catalytic presence of Al 3ϩ ions, by the reaction of Ni 2ϩ ions with a Te-rich CdTe surface, which is formed by an in situ etch in the chemical bath. Preliminary results indicate that Ni, from NiTe 2 , is not mobile within the cell structure, which is expected to be favorable for stability. Cells exhibit degradation when exposed to H 2 O vapor. However, this effect was found to be reversible, with performance improving to near predegradation values following cell transfer to dry air conditions.

show abstract

mentioning

confidence: 99%

Formation and Characterization of Electroless-Deposited NiTe[sub 2] Back Contacts to CdTe /CdS Thin-Film Solar Cells

Dobson

Rotlevi

Rose

et al. 2002

J. Electrochem. Soc.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…As can be seen, increasing the As dopant concentration by more than two orders of magnitude results in a decrease in CPD, from 0.276 to 0.067 V and an increase in the absolute values of CdTe (based on the HOPG reference) from 3.88 to 4.09 eV. Although, the absolute CdTe values are low compared to literature values where CdTe is typically quoted between 5.5 and 5.9 eV [12,13], this observation highlights the difficulties of determining accurately the absolute values of the bulk work function using the SKPM technique in ambient air, when the formation of surface states leading to surface band bending is highly probable. (…”

Section: Skpm On As-doped Cdtementioning

confidence: 64%

Scanning Kelvin probe measurements on As-doped CdTe solar cells

Brooks

Irvine

Taylor

2013

Semicond. Sci. Technol.

View full text Add to dashboard Cite

Scanning Kelvin probe microscopy (SKPM) has been used to study the Fermi level shift in arsenic (As) doped cadmium telluride (CdTe) photovoltaic devices. The contact potential difference (CPD) between probe tip and sample surface revealed that increasing As concentrations in CdTe led to a decrease in CPD. This highlighted a downward shift in the CdTe Fermi level and an increase in the CdTe work function. Using a highly oriented pyrolytic graphite sample in ambient conditions as a reference, the absolute work functions of the CdTe samples were estimated to vary from 3.88 to 4.09 eV. High-resolution SKPM measurements revealed localized shifts in CPD at CdTe grain boundaries. This was directly correlated to As doping concentrations, and indicated the segregation of As to grain boundaries. A mechanism is proposed where localized band bending at grain boundaries channels minority carriers away from the grain boundary, leading to reduced carrier recombination.

show abstract

“…[17]. Οι Ghosh et al [64], στα πλαίσια της διαπίστωσης ότι μιά αξιόπιστη -θερμοδυναμικά σταθερή -μεταλλουργία επαφής ζεύξης είναι το κλειδί για την εκτεταμένη αξιοποίηση των ηλιακών στοιχείων CdTe, προτείνουν μιά νέα, χαμηλού κόστους, τεχνολογία με αναμενόμενη εφαρμογή σε εμπορικές διατάξεις μεγάλης κλίμακας. Οι ερευνητές υποστηρίζουν ότι με τη τεχνολογία που αναπτύσσουν, επιτυγχάνονται οι υψηλότερες, γνωστές στη βιβλιογραφία, τιμές ρευμάτων βραχυκύκλωσης.…”

Section: ηλιακά στοιχεία Cdte και Cds/cdteunclassified

Ηλεκτρολυτικη Παρασκευη Ημιαγωγων Καδμιου-Σεληνιου-Τελλουριου

Μπουρουσιαν¹

View full text Add to dashboard Cite

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΒΔΟΜΟΔράση υποστρώματος -Μικροκρυσταλλικά φωτoηL•κτpόδιa 1.1 Προαπόθεση και ανοδικό φαινόμενο -Πειραματική διαδικασία 7.1.1 Συζήτηση αποτελεσμάτων 7.2 Απόθεση CdSe σε προσανατολισμένο Νΐ(ΙΟΟ) -Πειραματική διαδικασία 7.2.1 Συζήτηση αποτελεσμάτων 7.3 Φωτοηλεκτροχημική συμπεριφορά 7.4 Ερμηνευτικές σημειώσεις -Συμπεράσματα 7.4.1 Ενεργά κέντρα και πυρήνες κρυστάλλωσης 223 7.4.2 Νανοκρύσταλλοι και φαινόμενο κβαντικού μεγέθους 7.4.3 Βασικά Συμπεράσματα ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΟΓΔΟΟ Παρασκευή CdSe και Cd(Se, Te) με ηλεκτροαπόθεση από λουτρά ύδατος-αιθυ&νογλυκόλης στους 110 XJ 8.1 Γενικά -Πειραματική διαδικασία 8.2 Συζήτηση αποτελεσμάτων 8.3 Συμπεράσματα , ΓΕΝΙΚΗ ΣΥΖΗΤΗΣΗ -ΣΥΜΠΕΡΑΣΜΑΤΑ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Ι. Ημιαγωγικά στοιχεία και ενώσεις II. Περίθλαση ακτίνων Χ (XRD) -Εκτίμηση μεγέθους κρυσταλλιτών -Απορρόφηση ακτινοβολίας III. Ηλεκτρονική μικροσκοπία σάρωσης (SEM) IV. Μικρο-ανάλυση ακτίνων Χ από διασπορά ενέργειας (EDX) V. Μέτρηση εύρους ενεργειακών διακένων VI. Δείκτης διάθλασης και εκτίμηση πάχους δοκιμίων VII. Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός δοκιμίων (φαινόμενο Hall) ΠΙΝΑΚΑΣ ΣΥΜΒΟΛΩΝ & ΣΥΝΤΜΗΣΕΩΝ. ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ ' Η αντανάκλαση των φαινομένων αυτών στην αγωγιμότητα (επίδραση θερμοκρασίας) διευκρινίζεται στη παρ. 1.1.6. για ημιαγωγικά σώματα. '''Λ 12 Ο f '•• -ο \Ι Ι ßi ßAi nOMKH DÌ \ i " \ '-'Ι \®>\ γίνεταΐ'^ολύ σημαντική και ο διακεκριμένος χαρακτήρας π ή ρ του υλικού, \, αναιαετται. [1971 Η πυκνότητα των φορέων -όπως και η γνώση της στάθμης Fermiσχετίζεται με την πυκνότητα των προσμίξεων ή/και ατελειών του κρυστάλλου. Η κινητικότητα των φορέων καθορίζεται από τη μέση ελεύθερη διαδρομή μεταξύ διαδοχικών προσκρούσεων στα άτομα του πλέγματος του στερεού (άλλωστε, ισχύει και μ^ετ/ιη όπου τ ο χρόνος της μέσης ελεύθερης διαδρομής και m* η ενεργός μάζα του φορέα). Εξαρτάται επίσης, από το εύρος των ζωνών σθένους και αγωγιμότητας με τρόπο ώστε μιά ζώνη περιορισμένου εύρους έχει ως αποτέλεσμα μικρή κινητικότητα. Μιά ενεργειακή ζώνη παρουσιάζει μικρό εύρος όταν η επικάλυψη των ατομικών τροχιακών που την δημιουργούν είναι περιορισμένη. Αυτή είναι, συνήθως, και η περίπτωση των d-τροχιακών, όταν συμμετέχουν ως τροχιακά σθένους στην διαδικασία της ηλεκτρονιακής ενεργειακής επικάλυψης γειτονικών ατόμων. Η εικόνα είναι τελείως διαφορετική στην περίπτωση επικάλυψης s ή ρ τροχιακών -όπως στο Si -όπου προκύπτουν ζώνες μεγάλου εύρους [119]. Διακρίνεται, τέλος, μιά τάση στους κρυστάλλους με μικρά ενεργειακά διάκενα να χαρακτηρίζονται από υψηλές ευκινησίες ηλεκτρονίων, καθώς τα μικρά διάκενα συνδέονται με μικρές ενεργές μάζες.Σε έναν ιδεατό ενδογενή ημιαγωγό, η κινητικότητα προσδιορίζεται από τις συγκρούσεις μεταξύ των ηλεκτρονίων και των φωνονίων (κβάντων θερμικής ταλάντωσης του κρυσταλλικού πλέγματος). Η σκέδαση με φωνόνια είναι σημαντική όταν υπάρχουν σχετικά λίγα άτομα προσμίξεων ή σε υψηλές θερμοκρασίες. Σε μεγάλες συγκεντρώσεις προσμίξεων η κινητικότητα μπορεί να περιορίζεται δραστικά από τη σκέδαση σε άτομα προσμίξεων. Τα χαρακτηριστικά του φαινομένου εξαρτώνται από το αν η πρόσμιξη είναι ουδέτερη ή ιονισμένη.Γενικά, στις ημιαγωγικές ενώσεις, αυξημένος ...

show abstract

Contacting technology for thin film CdTe photovoltaic modules

Cited by 6 publications

References 1 publication

Formation and Characterization of Electroless-Deposited NiTe[sub 2] Back Contacts to CdTe /CdS Thin-Film Solar Cells

Formation and Characterization of Electroless-Deposited NiTe[sub 2] Back Contacts to CdTe /CdS Thin-Film Solar Cells

Scanning Kelvin probe measurements on As-doped CdTe solar cells

Ηλεκτρολυτικη Παρασκευη Ημιαγωγων Καδμιου-Σεληνιου-Τελλουριου

Contact Info

Product

Resources

About