Conduction mechanism for sputtered a-C:H based structures

Lazar, Iulia M.; Lazăr, Gabriel

doi:10.1016/j.jnoncrysol.2006.02.044

Cited by 7 publications

(11 citation statements)

References 27 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Nonetheless, Konofaos et al 9 and Gao et al 10 have demonstrated the formation of diamond-like carbon/silicon heterojunction devices. Lazar et al 11 have developed a-C:H based metal-insulator-metal (MIM) and metal-insulator-semiconductor (MIS) structures and observed space charge limited conduction in their devices. While various other conduction mechanisms, which includes band tail hopping have also been reported [2][3][4] in films grown at low pressure, it remains important to understand the physics related to the conduction in a-C:H and modified a-C:H films especially those grown at high pressures.…”

mentioning

confidence: 99%

Photoconductivity and characterization of nitrogen incorporated hydrogenated amorphous carbon thin films

Dwivedi

Kumar²,

Carey

et al. 2012

Journal of Applied Physics

View full text Add to dashboard Cite

The observation and origin of photoconductivity in high base pressure (~10 -3 Torr) grown nitrogen incorporated hydrogenated amorphous carbon (a-C:H:N) thin films is reported. The magnitude of conductivity at room temperature was measured to increase by nearly two orders of magnitude and exhibits a maximum ratio of photoconductivity to dark conductivity of 1.5 as the nitrogen content increased to 15.1 at.%. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), micro-Raman spectroscopy and

show abstract

mentioning

confidence: 99%

Photoconductivity and characterization of nitrogen incorporated hydrogenated amorphous carbon thin films

Dwivedi

Kumar²,

Carey

et al. 2012

Journal of Applied Physics

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Они имеют темно-серый с матовым блеском цвет. Их плотность лежит в пределах 0.5−1.6 g/сm 3 при наиболее характерной величине ∼ 1.0 g/сm 3 . В самых плотных образцах она может достигать 2.16 g/сm 3 .…”

Section: рисunclassified

“…Их плотность лежит в пределах 0.5−1.6 g/сm 3 при наиболее характерной величине ∼ 1.0 g/сm 3 . В самых плотных образцах она может достигать 2.16 g/сm 3 . Так что наиболее плотные прессованные из ТРГ образцы по цвету и плотности соответствуют природному кристаллическому графиту высокого качества.…”

Section: рисunclassified

“…Так, чередуя sp 2 -и sp 3 -области микро-и нанометровых размеров, можно создавать слоистые композиции ти-па металл−диэлектрик−металл, металл−диэлектрик− полупроводник [2,3]. Подобные структуры считаются перспективными для применения, например, в фото-приемниках, светоизлучающих устройствах, для исполь-зования в качестве холодных катодов, для создания сверхпроводников.…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Углеродный Композит На Основе Фуллеренов И Терморасширенного Графита

Берёзкин¹,

Popov²,

Томкович³

2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Синтезирован и исследован углеродный композиционный материал на основе фуллеренов и термо-расширенного графита при разных их соотношениях (от 16 : 1 до 1 : 16 по массе). Образцы получены путем внедрения C 60 в проводящую матрицу в результате термообработки исходных дисперсных смесей в вакуумном диффузионно-адсорбционном процессе, их дальнейшего холодного прессования и отжига. Показано, что между фуллеренами и окружением образуются ковалентные связи. Электропроводность образцов довольно высокая и находится в пределах от единиц до сотен ( · cm) −1 . Концентрация носителей заряда (преимущественно дырок) составляет ∼ 10 19 −10 20 cm −3 . Сделан вывод, что материал при использованных соотношениях компонентов можно отнести к металлическим системам со структурным беспорядком.Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (грант № 14-03-00496) и программы Президиума РАН (П-20).

show abstract

“…Механизм проводимости даже в одних и тех же объектах, обработанных при разных температурах, может изменяться от зонного (т. е. по распространенным состояниям) до прыжкового по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми, как это показано в [17]; в плохо проводящих структурах Физика твердого тела, 2017, том 59, вып. 7 он может определяться даже токами, ограниченными пространственным зарядом [18]. Вместе с этим в лите-ратуре по углероду форма таких кривых ρ(T ), как на рис.…”

Section: обсуждение результатовunclassified

Процессы Переноса Заряда В Углеродных Композитах На Основе Фуллеренов И Терморасширенного Графита

Берёзкин¹

2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Исследованы кинетические процессы в композиционных материалах на основе фуллеренов и терморасширенного графита при исходных соотношениях компонентов от 1 : 16 до 16 : 1 по массе. Образцы получены путем термообработки в вакууме в диффузионно-адсорбционном процессе исходных дисперсных смесей, их дальнейшего холодного прессования и отжига. Показано, что последний практически не влияет на механизмы проводимости, а лишь создает дополнительные дефекты структуры, действующие как электронные ловушки. В целом полученные результаты при использованных соотношениях компонентов позволяют отнести материал к компенсированной металлической системе со структурным беспорядком, в которой перенос заряда при температурах от 4.2 K до комнатной управляется квантовыми интерференционными явлениями. В области низких температур проявляются эффекты слабой локализации, а в области средних и высоких температур --- электрон-электронные взаимодействия. DOI: 10.21883/FTT.2017.07.44611.424

show abstract

Conduction mechanism for sputtered a-C:H based structures

Cited by 7 publications

References 27 publications

Photoconductivity and characterization of nitrogen incorporated hydrogenated amorphous carbon thin films

Photoconductivity and characterization of nitrogen incorporated hydrogenated amorphous carbon thin films

Углеродный Композит На Основе Фуллеренов И Терморасширенного Графита

Процессы Переноса Заряда В Углеродных Композитах На Основе Фуллеренов И Терморасширенного Графита

Contact Info

Product

Resources

About