Comparison of the electron effective mass of the n-type ZnO in the wurtzite structure measured by cyclotron resonance and calculated from first principle theory

Oshikiri, Mitsutake; Imanaka, Y.; Aryasetiawan, Ferdi; Kido, G.

doi:10.1016/s0921-4526(01)00365-9

Cited by 93 publications

(59 citation statements)

References 15 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…It turns out that the value of ~0.4m 0 is comparable to, but not particularly smaller than the theoretically predicted effective masses of other wide-band-gap oxide semiconductors, e.g., In 2 O 3 (0.30m 0 ), 49 SnO 2 (0.38m 0 ), 50 and ZnO (0.24m 0 ). 51 The effective mass can be also estimated by the ranging from 0.06 to 0.5m 0 , indicating that it is rather sensitive to the approximation in the DFT calculation. Therefore, to pin down whether the effective mass is a dominant quantity for creating the high mobility or not, it would be necessary to determine an effective mass of (Ba,La)SnO 3 more accurately.…”

Section: B Effective Massmentioning

confidence: 99%

Physical properties of transparent perovskite oxides (Ba,La)SnO3with high electrical mobility at room temperature

et al. 2012

View full text Add to dashboard Cite

Transparent electronic materials are increasingly in demand for a variety of optoelectronic applications, ranging from passive transparent conductive windows to active thin film transistors. suggest that the doped BaSnO 3 system holds great potential for realizing all perovskite-based, transparent high-temperature high-power functional devices as well as highly mobile two-dimensional electron gas via interface control of heterostructured films.

show abstract

Section: B Effective Massmentioning

confidence: 99%

Physical properties of transparent perovskite oxides (Ba,La)SnO3with high electrical mobility at room temperature

et al. 2012

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…where m * (ZnO) = 0.24, 18 and m * (PFO) ≈ 0.394. The ideality factors (n), reverse saturation current densities (J 0 ) and barrier heights (Φ b ) of the device under different power intensities have been calculated and listed in Table I.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Solution processable organic/inorganic hybrid ultraviolet photovoltaic detector

Guo

Tang²,

Xiang

et al. 2016

AIP Advances

View full text Add to dashboard Cite

Ultraviolet (UV) photodetector is a kind of important optoelectronic device which can be widely used in scientific and engineering fields including astronomical research, environmental monitoring, forest-fire prevention, medical analysis, and missile approach warning etc. The development of UV detector is hindered by the acquirement of stable p-type materials, which makes it difficult to realize large array, low-power consumption UV focal plane array (FPA) detector. Here, we provide a novel structure (Al/Poly(9,9-di-n-octylfuorenyl-2,7-diyl)(PFO)/ZnO/ITO) to demonstrate the UV photovoltaic (PV) response. A rather smooth surface (RMS roughness: 0.28 nm) may be reached by solution process, which sheds light on the development of large-array, light-weight and low-cost UV FPA detectors.

show abstract

“…Концентрація електронів у зоні провідності n зв'язана з енергією рівня Фермі ∆μ співвід-ношенням [15]: (4) де ∆μ відраховується від дна зони провідності, як це показано на Рис. 6, а N с -ефективна густина станів у зоні провідності: (5) m* n -ефективна маса електронів (m* n = 0.24 m 0 [16]).…”

Section: результати та обговоренняunclassified

“…Приймемо, що ак-цептори, які компенсують донори, розташовані в нижній половині забороненої зони, повністю іонізовані, а тому N a -= N a . Отже, рівняння електронейтральності (7) зво-диться до рівності [15]: (8) ліва частина якої виражає концентрацію ді-рок на донорах (Е d -їх енергія іонізації).…”

Section: рис 7 температурна залежність рівня фермі в забороненій зоunclassified

“…Розв'язок рівняння (8) відносно Δμ дає: З отриманих результатів видно, що, по-перше, досліджені плівки ZnO Отже, рівняння електронейтральності (7) зводиться до рівності [15]:…”

Section: рис 7 температурна залежність рівня фермі в забороненій зоunclassified

See 1 more Smart Citation

THE LEVEL OF SELF-COMPENSATION OF ZnO CODOPED BY NITROGEN AND ALUMINUM

Євтушенко¹,

Лашкарьов²,

Kosiachenko³

et al. 2012

SEMST

View full text Add to dashboard Cite

Анотація. Представлено результати експериментального дослідження електропровідності співлегованих азотом (до 4,3 атомних %) та алюмінієм (2,4 атомних %) n-типу плівок ZnO:N:Al, осаджених методом високочастотного магнетронного розпилення на підкладках p-Si. З аналізу температурних залежностей питомого опору й енергії рівня Фермі знайдено енергію іонізації і ступінь компенсації домішок (дефектів), відповідальних за електропровідність досліджених зразків.Ключові слова: плівки ZnO, Al-N співлегування, електропровідність, самокомпенсація Abstract. The results of experimental investigation of conductivity of codoped by nitrogen (up to 4.3 atomic %) and by aluminum (2.4 atomic %) n-type ZnO:N:Al films, deposited by radio frequency magnetron sputtering on p-Si substrates, are presented. Using the analysis of temperature dependences of resistivity and of the energy of the Fermi level, the ionization energy and the degree of compensation

show abstract

Comparison of the electron effective mass of the n-type ZnO in the wurtzite structure measured by cyclotron resonance and calculated from first principle theory

Cited by 93 publications

References 15 publications

Physical properties of transparent perovskite oxides (Ba,La)SnO3with high electrical mobility at room temperature

Physical properties of transparent perovskite oxides (Ba,La)SnO3with high electrical mobility at room temperature

Solution processable organic/inorganic hybrid ultraviolet photovoltaic detector

THE LEVEL OF SELF-COMPENSATION OF ZnO CODOPED BY NITROGEN AND ALUMINUM

Contact Info

Product

Resources

About