Circular test structures for determining the specific contact resistance of ohmic contacts

Abstract

Though the transport of charge carriers across a metal-semiconductor ohmic interface is a complex process in the realm of electron wave mechanics, such an interface is practically characterised by its specific contact resistance. Error correction has been a major concern in regard to specific contact resistance test structures and investigations by finite element modeling demonstrate that test structures utilising circular contacts can be more reliable than those designed to have square shaped contacts as test contacts become necessarily smaller. Finite element modeling software NASTRAN can be used effectively for designing and modeling ohmic contact test structures and can be used to show that circular contacts are efficient in minimising error in determining specific contact resistance from such test structures. Full semiconductor modeling software is expensive and for ohmic contact investigations is not required when the approach used is to investigate test structures considering the ohmic interface as effectively resistive.

Simulation Results: Optimization of Contact Ratio for Interdigitated Back-Contact Solar Cells

“…It is dubious to simulate solar cells with respect to area of contacts because different shapes like circle, square, rectangle, and triangle can have the same area but they will have different contact resistance and sheet resistance and simulation of solar cells may show the same results with respect to the same area of different shapes. There is a possibility of losses like error in specific contact resistance [56] and high ideality factor [57] with rectangular and square shapes. That is why one should avoid rectangular and square shapes as point contact.…”

Contact resistivity measurement of silicide ohmic contacts to silicon p-type by Transmission Line Method

“…Один из самых распространенных методов измерения контактного сопротивления, учитывающий токи растекания под контактом по объему полупроводника, -метод линии передачи (Transmission Line Method -TLM) [3][4][5][6]. Преимуществом этого метода является возможность измерения удельного контактного сопротивления на тонких слоях полупроводника: тонких полупроводниковых пленках и диффузионных слоях, вследствие чего он имеет широкое распространение.…”

Determination of contact resistivity of ohmic contacts to semiconductor plates by the method Cox-Strack

“…Введение. К настоящему времени выполнено много работ, посвященных измерению удельного контактного сопротивления ρ К [Ом‧см 2 ] омических контактов к полупроводникам, так как этот вопрос имеет важное значение в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12]. В этих работах используются различные методы измерения удельного контактного сопротивления ρ К , которые можно разделить на вертикальные (в токопрохождении принимает участие вся толща полупроводниковой пластины, контакты сформированы на противоположных сторонах пластины) и планарные (контакты сформированы на одной стороне пластины).…”

“…Детали находятся в озвучиваемой жидкости и подвергаются воздействию кавитации. Недостатком способа является то, что кавитация одновременно с облоем разрушает тело детали [5][6][7].…”