ChemInform Abstract: VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH OF ZINC SILICON ARSENIDE (ZNSIAS2) ON GERMANIUM AND GALLIUM ARSENIDE SUBSTRATES

Abstract

Bei sorgfältiger Wahl der Wachstumsbedingungen im CVD‐Reaktor lassen sich im Temp.‐ Bereich 650‐670 °C, ausgehend von Zn,AsH3 und SiH4 (H2 als Trägergas) aus der Gasphase einheitlich orientierte epitaktische Schichten des tetragonalen Halbleiters (0O1)‐ZnSiAs2 auf kubischen Ge‐ und GaAs‐Substraten in (100)‐Orientierung abscheiden.