Chemical bonds and microstructure in nearly stoichiometric PECVD aSixNyHz

Bonding rearrangement in amorphous silicon nitrides deposited by hot-wire chemical vapor deposition upon thermal annealing

“…This so-called H migration process, however, was not supported by Savall et al [9]. They suggested that the enhanced oscillation strength of Si-H bonds after annealing can be attributed to a change in the Si-H bond absorption.…”

“…were previously proposed for this observation [8][9][10]. In the most Si-rich sample, the decreased Si-N peak intensities can be ascribed to reactions forming NH 3 fragments [8].…”

“…Many researchers have studied the effect of thermal annealing on plasma-deposited a-SiN x :H [3,[8][9][10]. However, a systematic experiment was seldom carried out for a-SiN x :H deposited by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD).…”

Physicochemical, structural, and mechanical properties of Si3N4 films annealed in O2

“…15,16 Many deposition techniques have been used to deposit Si 3 N 4 films, such as chemical vapor deposition ͑CVD͒, plasma enhanced CVD, and magnetron sputtering. 17 Among them, deposition by magnetron sputtering can lead to several advantages, such as: ͑a͒ low substrate temperature during deposition, since in the CVD process deposition temperatures can be as high as 800°C, ͑b͒ wide acceptance by the industrial sector, making it easy to scale up the process, ͑c͒ elimination of hydrogen in the films, since hydrogenated silicon nitride films present inferior thermal stability, 18 and ͑d͒ elimination of toxic gases in the deposition process, such as NH 3 and SiH 4 .…”

Μελέτη Και Βελτιστοποίηση Των Ηλεκτρικών Ιδιοτήτων Λεπτών Μονωτικών Υμενίων Που Χρησιμοποιούνται Σε Μικρο-Ηλεκτρο-Μηχανικά Συστήματα (MEMS)

“…Οι δεσμοί Si-H φαίνεται να κυριαρχούν στα υμένια που εμφανίζουν περίσσεια πυριτίου (Si) ενώ οι δεσμοί N-H στα υμένια που εμφανίζουν περίσσεια αζώτου (N) [103], και συγκεκριμένα όταν N/Si = x >0.8 [104]. Το ποσοστό του υδρογόνου στο πλέγμα μπορεί να μειωθεί με θερμική διεργασία (annealing) του υμενίου σε θερμοκρασίες μεγαλύτερες της θερμοκρασίας εναπόθεσης [105], καθώς η αύξηση της θερμοκρασίας συνεπάγεται μεταβολή του πλήθους των δεσμών Si-H και N-H και απελευθέρωση του υδρογόνου μέσω διαδικασιών «εξωδιάχυσης». Στα υμένια SiNx με περίσσεια Si (Si-rich) η αύξηση της θερμοκρασίας οδηγεί αρχικά σε δημιουργία νέων δεσμών Si-H στο πλέγμα μέσω της αντίδρασης [85]: (2.38) και στη συνέχεια η περαιτέρω αύξηση της θερμοκρασίας προκαλεί «σπάσιμο» των δεσμών Si-H και απελευθέρωση υδρογόνου: ( Η μέθοδος και οι συνθήκες εναπόθεσης (π.χ.…”