Charge Redistribution and Potential Barrier Reconstruction in SI GaAs Caused by EL2 State Change

Электрически Активные Состояния Захвата И Переноса Заряда, Обусловливающие Медленную Рекомбинацию В Кристаллах Бромида Таллия При Низких Температурах

“…В TlBr, как и во всех полупроводниковых материалах с высоким удельным сопротивлением, явления генера-ции и переноса носителей существенно изменяются с температурой и при возбуждении светом, что позволяет выявлять эффекты, связанные с уровнями дефектов и неоднородностями кристаллов [11][12][13]. Поэтому нашей задачей было исследование (фото-) проводимости TlBr в области температур ниже комнатной до темпера-туры жидкого азота.…”

Photoconductivity relaxation processes in Cu1−xZnxInS2 solid solutions

“…Moreover, study of the photoconductivity and its relaxations is one of the most used methods for determining parameters of the localized states in the band gap, as well as the nonequilibrium charge carrier lifetimes [10,11]. We have demonstrated earlier that photoconductivity is a sensitive tool for the analysis of charge transport in defective and inhomogeneous materials as well [12][13][14][15][16][17].…”