2004
DOI: 10.1134/1.1788786
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Charge effects in a metal-semiconductor composite system

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1
1

Citation Types

0
1
0
2

Year Published

2014
2014
2019
2019

Publication Types

Select...
4

Relationship

0
4

Authors

Journals

citations
Cited by 4 publications
(3 citation statements)
references
References 2 publications
0
1
0
2
Order By: Relevance
“…Метою даної роботи є теоретичний аналіз ВО сферичних виділень нової фази, розташованих на міжзеренній межі скінченної товщини δ [42][43][44] Граничні умови до рівняння (1) беремо такими [11,14,[45][46][47][48][49]:…”
Section: Eejp 1 2019unclassified
“…Метою даної роботи є теоретичний аналіз ВО сферичних виділень нової фази, розташованих на міжзеренній межі скінченної товщини δ [42][43][44] Граничні умови до рівняння (1) беремо такими [11,14,[45][46][47][48][49]:…”
Section: Eejp 1 2019unclassified
“…Detailed calculation of the transmission coefficient of the potential barrier has been performed in refs and . Here, we approximate the barrier with a rectangular potential step of the height equal to the work function from the metal into the semiconductor ( W in Figure ).…”
Section: Theorymentioning
confidence: 99%
“…Esta equalização faz ocorrer a formação de regiões de cargas livres em torno das partículas metálicas. 11 Materiais compósitos de uma matriz polimérica com partículas de metal aleatoriamente dispersadas são considerados como um sistema heterogêneo desordenado. 12 A formação de regiões de cargas livres em torno das partículas metálicas torna-se significante de acordo com a quantidade destas partículas na matriz polimérica.…”
Section: Geração De Cargas Eletrostáticasunclassified