Charge-Carrier Transport Phenomena in Amorphous SiO2: Direct Measurement of the Drift Mobility and Lifetime

RF Plasma Annealing on MOS Structures.

“…Since nh dh -(f (), equation ( and uh=5 x 10-cm 2/V-sec (Hughes 1973(Hughes , 1978, the calculated saturation frequency is f -1.6 MHz, in good agreement with the experimental result.…”

“…Although a significant amount of research has been done in the past on the ionizing radiation-induced currents in MOS systems (Curtis et al 1974, Hughes 1973, Snow et al 1967, Everhart and Hoff 1971, Farmer and Lee 1975, most authors addressed only the bulk generation component (Hughes 1973, Snow et al 1967, Everhart and Hoff 1971, and the importance of the contact injection was either overlooked or thought to be negligible. Some workers (Curtis et al 1974, Farmer andLee 1975) did mention the possibility of photoinjection from the contacts, but no systematic experiments have been performed to find out how significant this current is relative to the total current.…”

“…If the current due to contact injection is indeed non-negligible, then some serious questions may be raised concerning the values of a number of important transport parameters such as the pair-generation 1 43 energy (Curtis et al 1974, Ausman andMcLeaii 1975), the mobilitylifetime product (Curtis et al 1974, Snow et al 1967, Hughes 1973, Everhart and Hoff 1971, Goodman 1966, and the field-dependent geminate recombination behavior (Curtis et al 1974, Hughes 1978, Farmer and Lee 1975), many of which were obtained based on the measurements of radiation-induced current without taking into account the contribution from the contact injection.…”

“…Since in SiO the electrons have a mobility several orders of 2 magnitude higher than the holes (Hughes 1973), only electron current needs to be considered here. The time constant used in the above equation is either the carrier life time, T., or the electron transit time, Tt, depending on the relative magnitude of the two constants.…”

Радиационно-Индуцированный Гальванический Эффект, Наблюдаемый В Интерфейсе Металл-Диэлектрик

“…Необходимо заметить, что, несмотря на создание мощ-ных импульсных источников электромагнитного излучения, динамика электрических свойств твердых материалов, сопутствующая процессу интенсивного облучения, мало изучена. В работах [1,2] исследовалось влияние тормозного излучения (энергия электронного пучка 600 keV) на электрические свойства таких типичных диэлектриков, как сапфир и оптическое стекло, которые благодаря уникальным свойствам (высокие прозрачность, твердость, радиационная стойкость) часто используются в качестве изолирующих и оптических материалов. Показано, что в процессе воздействия рентгеновского излучения в данных материалах возникает электропроводность, связанная с возникновением носителей в зоне проводимости.…”