Characterization of electrically active dopant profiles with the spreading resistance probe

Методика Определения Удельного Сопротивления Полупроводниковых Материалов Методом Атомно-Силовой Микроскопии

“…где R barrier -сопротивление контакта острия зонда с по-верхностью образца, R s -сопротивление исследуемого образца, R p -сопротивление проводящего покрытия зонда, R b -сопротивление нижнего металлического контакта [4,5,12].…”

“…Значение сопротивления контакта острия зонда с поверхностью подложки определяется уравнением Шар-вина [5,12] …”

“…Данный метод приме-няется для исследования электрофизических параметров различных наноразмерных структур: графенов [1,6], уг-леродных нанотрубок [2], нитевидных нанокристаллов ZnO [3], эпитаксиальных наногетероструктур [4,5]. Од-нако при проведении исследований материалов методом АСМ ОСР возникает ряд проблем, связанных, во-пер-вых, с отсутствием методик, позволяющих определять электрические параметры исследуемых материалов из полученных результатов, во-вторых, с выбором опти-мальных режимов взаимодействия острия зонда с по-верхностью образца, в-третьих, с недостаточной изучен-ностью влияния параметров окружающей среды [12].…”

“…Зачастую при переходе к технологическому процессу с более высокими проектно-топологическими нормами ранее использовавшиеся инструменты диагностики ока-зываются неприменимыми из-за достижения предела их разрешающей способности. Поэтому возникает необхо-димость в разработке более точных методов исследо-вания электрофизических свойств материалов формиру-емых наноструктур, которые обладали бы достаточно высоким пространственным разрешением, высокой сте-пенью достоверности и воспроизводимости [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11].…”

“…Зачастую при переходе к технологическому процессу с более высокими проектно-топологическими нормами ранее использовавшиеся инструменты диагностики ока-зываются неприменимыми из-за достижения предела их разрешающей способности. Поэтому возникает необхо-димость в разработке более точных методов исследо-вания электрофизических свойств материалов формиру-емых наноструктур, которые обладали бы достаточно высоким пространственным разрешением, высокой сте-пенью достоверности и воспроизводимости [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11].Атомно-силовая микроскопия в режиме отображения сопротивления растекания (АСМ ОСР) является мно-гофункциональным методом зондовой нанодиагностики, который позволяет проводить исследование распреде-ления тока по поверхности образца с одновременной визуализацией ее топологии [12]. Данный метод приме-няется для исследования электрофизических параметров различных наноразмерных структур: графенов [1,6], уг-леродных нанотрубок [2], нитевидных нанокристаллов ZnO [3], эпитаксиальных наногетероструктур [4,5].…”