Characterization of colloidal silica abrasives with different sizes and their chemical–mechanical polishing performance on 4H-SiC (0001)

Shi, Xiao‐Lei; Pan, Guoshun; Zhou, Yan; Gu, Zhonghua; Gong, H.; Zou, Chunli

doi:10.1016/j.apsusc.2014.04.048

Cited by 79 publications

(40 citation statements)

References 40 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…We can see that the edge and inner substrate of terraces were both damaged, and the damaged area of 110 nm SiO 2 abrasive is larger that of 40 nm SiO 2 abrasive. This is because of the larger unit material remove volume formed by 110 nm SiO 2 abrasive [17]. Besides, Ra of the surface polished by slurry with 110 nm SiO 2 abrasive is 0.0756 nm on 1 m × 1 m scan area, while that for 40 nm SiO 2 abrasive is 0.0587 nm on 1 m × 1 m scan area.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 96%

“…Fig. 4 shows the atomic step-terrace structures, indicating good surface finish [17]. The atomic step-terrace structure is characterized by many parallel terraces, the arrangement of terraces is regular, and the orientation of terraces also has obvious directionality.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 97%

“…Due to the small removal rate of slurry with tiny-sized SiO 2 abrasive (MRR = 11.24 nm/h) [17], we pre-polished the Ga-face (0 0 0 1) GaN wafer by slurry with 40 nm SiO 2 abrasive for 2 h, and then the pre-polished Gaface (0 0 0 1) GaN wafer was further polished by slurry with 10 nm SiO 2 abrasive for 2 h, and the final polished surface was measured by AFM, as shown in Fig. 2(c).…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

“…The first two SiO 2 particles (110 nm and 40 nm) were the commercial silica sol, and the tiny-sized SiO 2 particle (10 nm) was prepared by ion exchange method, and the detailed description was shown in Ref. [17]. The Pt(40%)/C catalyst was Pt particles with the average size of 5 nm supported on plate shaped C particles with the average size of 80 nm.…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

See 3 more Smart Citations

Investigation on the surface characterization of Ga-faced GaN after chemical-mechanical polishing

Gong

Pan

Shi

et al. 2015

Applied Surface Science

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Section: Resultsmentioning

confidence: 96%

Section: Resultsmentioning

confidence: 97%

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

See 2 more Smart Citations

Investigation on the surface characterization of Ga-faced GaN after chemical-mechanical polishing

Gong

Pan

Shi

et al. 2015

Applied Surface Science

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

“…Nustatyta, kad mažesnis paviršiaus šiurkštumas gautas naudojant mažesnio dydžio abrazyvines daleles SiO 2 , taip pat poliruojant ilgesnį laiką. Šešiakampė kristalo struktūra labiau pažeidžiama, kai naudojamos didesnės abrazyvinės dalelės (Shi et al 2014).…”

unclassified

Experiment Plan for Researches of Polishing Process of Optical Details / Optinių Detalių Poliravimo Proceso Eksperimentinio Tyrimo Planavimas

Švagždytė

Jurevičius

2017

Mokslas – Lietuvos Ateitis

View full text Add to dashboard Cite

(pvz., safyro kristalams dažniausiai naudojami deimantiniai grūdeliai), o dydis -nuo poliravimo pakopos, t. y. jei poliravimas galutinis, grūdelių dydis gali nesiekti 1 mikrometro.Poliruoto paviršiaus kokybė taip pat priklauso nuo judesio trajektorijos (poliravimo disko ir ruošinio), užspau-dimo jėgos.Mokslininkai iš Kinijos (Pan et al. 2012) sudarė kinematinį plokščių detalių mechaninio ir magnetinio poliravimo proceso trajektorijos modelį. Tirta, kokią įta-ką paviršiaus kokybei turi poliravimo disko greitis, ruoši-nio greitis, ekscentricitetas, svyravimo greitis ir abrazyvo trajektorijos amplitudė (1 pav.).Sumodeliuoti procesai buvo įgyvendinti praktiškai poliruojant SiC detales, nustatyta, kad geriausia paviršiaus kokybė (mažiausias šiurkštumas) gauta, kai poliravimo padas ir ruošinys sukasi priešingomis kryptimis, ekscen tricitetas didesnis, o svyravimo amplitudė mažesnė pagal kiekvienu atveju nustatomus parametrus.Poliruojant lengvai magnetinėmis karbonilinėmis geležies dalelėmis, susiduriama su korozijos problemomis, dėl to suprastėja paviršiaus kokybė. Atlikti tyrimai su polimerais ar kitomis neorganinėmis medžiagomis padengtomis geležies dalelėmis, reguliuojant sukimosi greitį ir magnetinio lauko intensyvumą. Esant didesniam sukimosi greičiui pagreitėja medžiagos pašalinimas iš apdirbimo zonos, paviršiaus šiurkštumas mažesnis esant mažesniam magnetinio lauko intensyvumui (Lee et al. 2015 santrauka. Straipsnyje aprašomas optinių detalių poliravimo procesas, naudojamosios technologijos ir medžiagos. Optinėms detalėms keliami aukšti tikslumo reikalavimai -paviršiaus glotnumo, defektų nebuvimo, formos nuokrypių ir kt., jie gau nami poliravimo proceso metu. Mokslininkų paskelbtuose tyrimuose pateikiami modeliavimo rezultatai, gauti eksperimentų metu, tirtos įvairios apdirbamosios medžiagos, jų paviršiaus kokybė, poliruota įvairiais pjovimo režimais. Šiame straipsnyje aprašomas eksperimento planas, skirtas plokščioms detalėms iš optinio stiklo BK7 poliruoti, kai varijuojama keliais apdirbimo režimais. Siekiama gauti aukštą gaminių kokybę daugiakriterio optimizavimo būdu.reikšminiai žodžiai: BK7, eksperimento planas, kintamieji poliravimo procese, paviršiaus kokybė, poliravimas.

show abstract

Chemical–Mechanical Polishing of 4H Silicon Carbide Wafers

Wang

et al. 2023

Adv Materials Inter

View full text Add to dashboard Cite

Abstract4H silicon carbide (4H‐SiC) holds great promise for high‐power and high‐frequency electronics, in which high‐quality 4H‐SiC wafers with both global and local planarization are cornerstones. Chemical–mechanical polishing (CMP) is the key processing technology in the planarization of 4H‐SiC wafers. Enhancing the performance of CMP is critical to improving the surface quality and reducing the processing cost of 4H‐SiC wafers. In this review, the superior properties of 4H‐SiC and the processing of 4H‐SiC wafers are introduced. The development of CMP with chemical, mechanical, and chemical–mechanical synergistic approaches to improve the performance of CMP is systematically reviewed. The basic principle and processing system of each improvement approach are presented. By comparing the material removal rate of CMP and the surface roughness of CMP‐treated 4H‐SiC wafers, the prospect on the chemical, mechanical, and chemical–mechanical synergistic improvement approaches is finally provided.

show abstract

Characterization of colloidal silica abrasives with different sizes and their chemical–mechanical polishing performance on 4H-SiC (0001)

Cited by 79 publications

References 40 publications

Investigation on the surface characterization of Ga-faced GaN after chemical-mechanical polishing

Investigation on the surface characterization of Ga-faced GaN after chemical-mechanical polishing

Experiment Plan for Researches of Polishing Process of Optical Details / Optinių Detalių Poliravimo Proceso Eksperimentinio Tyrimo Planavimas

Chemical–Mechanical Polishing of 4H Silicon Carbide Wafers

Contact Info

Product

Resources

About