Characterization of beryllium doped Al0.33Ga0.67As layers grown by molecular beam epitaxy

Epitaxial alloys of AlxGa1−xAs:Mg with different types of conductivity

“…These transitions are specified by an increase in the amount of acceptor impurity and the density of acceptor states, respectively. Our data are in good agreement with data reported from investigations of GaAs:Mg samples [22,23,27,28].…”

“…In studies concerned with the growth of Al x Ga 1-x As using a magnesium impurity, it was shown that their growth with the use of molecular-beam or MOS-hydride epitaxy on GaAs (100) substrate resulted in a decrease of the charge carrier concentration in the Al x Ga 1-x As layer from 10 17 to 4 10 14 cm -3 [26][27][28][29]. This difference in the concentration was explained by a sharp decrease of Mg concentration in III-V epitaxial layers with an increase in substrate temperature.…”

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

“…Такие переходы вызваны, по-видимому, увеличением акцептор-ной примеси и соответственно плотностью акцепторных состояний. Полученные нами данные хорошо совпадают с уже полученными в ряде работ по исследованию образцов GaAs : Mg [22,23,27,28].…”

“…В работах [26][27][28][29], посвященных исследованиям роста Al x Ga 1−x As с примесью магния, показано, что их рост методами молекулярно-лучевой или МОС-гидридной эпитаксии на GaAs (100) подложках приводит к сниже-нию концентрации носителей заряда в Al x Ga 1−x As слое с 10 17 до 10 14 см −3 . Это различие в концентрации но-сителей объясняли резким снижением концентрации Mg в III−V эпитаксиальных слоях с увеличением темпера-туры подложки.…”

Photoluminescence Studies of Mg-Doped AlxGa1-xAs Epitaxial Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy

“…Beryllium (Be) has been widely used as the most convenient and controllable acceptor species for GaAs [10][11][12][13] and AlGaAs 14,15) because of the restriction of magnesium (Mg) incorporation in GaAs and AlGaAs above 500 C. 16) Mg occupies cation sites and is a shallow acceptor in III-V semiconductors. Mg doping of Ga(AlAs) was first reported by Cho and Panish.…”