При рассмотрении тепловых процессов многослойных наноструктур существенная часть энергии рассеивается на границах слоев, для учета этого фактора при моделировании используется сопротивление Капицы. В работе проведен расчет термического сопротивления на границе Si/SiO 2 (альфа-кварц) структур для интервала температур до 567 К. Вычисления велись на основе моделей акустического и диффузного несоответствия. Полученные результаты, в частности, могут быть использованы при построении моделей теплопереноса в микроэлектронике.
Ключевые слова: сопротивление Капицы, термическое сопротивление, теплоперенос в наноструктурахБлагодарности: Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 19-08-01191А. Работа выполнялась с использованием инфраструктуры Центра коллективного пользования «Высокопроизводительные вычисления и большие данные» (ЦКП «Информатика») ФИЦ ИУ РАН (г. Москва).