Bismuth and antimony chalcogenides: Peculiarities of electron density distribution, unusual magnetic properties and superconductivity

Strategies and challenges of high-pressure methods applied to thermoelectric materials

“…This could result from an electronic transition leading to changes in band structure. 30,31,[75][76][77][92][93][94][95][96] From a practical perspective, the appearance of this n-type contribution significantly reduces the thermoelectric performance of p-type samples.…”

Электронная Зонная Структура, Распределение Зарядовой Плотности И Химическая Связь В Молекулярных Кристаллах Халькогенов

“…2, 3 и на рис. 2, принимая во внимание особенности в распределении зарядовой плотности в веществах, исследованных нами в статьях [18,19,51,54,55].…”

“…Отметим, что недавние исследования высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) методом резонансного неупругого рассеяния рентгеновского излучения (RIXS) [61] выявили наличие динамических короткодействующих флуктуаций зарядовой плотности с характерной энергией порядка нескольких meV практически у всех семейств ВТСП. Возможной причиной возникновения подобных флуктуаций зарядовой плотности может служить найденная нами ранее у халькогенидов висмута и сурьмы [51], а также у необычных (включая ВТСП) сверхпроводников [55] особенность природы химической связи -суммарное число BCPs, приходящихся на атом, превышает число валентных электронов в атоме. Поскольку данная особенность обнаружена нами и у химической связи в молекулярных кристаллах халькогенов, было бы желательно провести их исследование методом RIXS с целью экспериментального поиска наличия у них флуктуаций зарядовой плотности.…”

“…Существенно также, что в менее симметричных аллотропных модификациях Se и S N at больше чем число валентных s-и p-электронов в атомах. Аналогичная особенность была ранее найдена в халькогенидах висмута и сурьмы с низкой симметрией кристаллической структуры [51].…”

Colossal variations in the thermopower and n–p conductivity switching in topological tellurides under pressure

“…[133][134][135] An unusual band structure topology of Bi 2 Te 3 allows to implement a topological insulator state with a small bulk bandgap of about E g ∼ 0.15 eV. 33,136,137 A combination of the low thermal conductivity with the topological insulator state (which provides a high power factor, S 2 σ) can explain the high room-temperature thermoelectric performance parameters of Bi 2 Te 3 . [138][139][140][141][142][143][144][145] It was found that the applied pressure of about 2-4 GPa induces the number of remarkable phenomena.…”